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刘传钦

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

主题

  • 2篇导体
  • 2篇压片
  • 2篇半导体
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷材料
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米压印
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀工艺
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇磁性
  • 1篇磁性材料

机构

  • 3篇中国科学院微...

作者

  • 3篇夏洋
  • 3篇刘传钦
  • 2篇陈瑶
  • 2篇李超波
  • 2篇屈芙蓉
  • 1篇张庆钊
  • 1篇汪明刚

传媒

  • 1篇2015中国...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
半导体腔室用压片装置
本发明公开了一种半导体腔室用压片装置包括反应腔室、压片架和载片机构；所述压片架设置在所述反应腔室的上半部；所述反应腔室设置有腔室内衬，所述腔室内衬与所述压片架连接；所述载片机构设置在所述压片架下端。本发明提供的导体反应腔...
李超波屈芙蓉陈瑶刘传钦夏洋
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基于反应离子刻蚀工艺对新材料刻蚀的研究
等离子体刻蚀是集成电路制造和MEMS工艺中常用的工艺步骤，随着等离子体刻蚀工艺的发展，越来越多的领域应用到这项技术。目前等离子体刻蚀技术主要应用于硅基材料、Ⅱ一Ⅵ族材料和Ⅲ-Ⅴ材料等常规材料的刻蚀。
尹彬汪明刚刘传钦张庆钊夏洋
关键词：反应离子刻蚀陶瓷材料磁性材料纳米压印
半导体腔室用压片装置
本发明公开了一种半导体腔室用压片装置包括反应腔室、压片架和载片机构；所述压片架设置在所述反应腔室的上半部；所述反应腔室设置有腔室内衬，所述腔室内衬与所述压片架连接；所述载片机构设置在所述压片架下端。本发明提供的导体反应腔...
李超波屈芙蓉陈瑶刘传钦夏洋
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