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刘丹

作品数:1 被引量:2H指数:1
供职机构:浙江大学信息科学与工程学院工业控制技术国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇双极性
  • 1篇双极性晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇过流
  • 1篇IGBT

机构

  • 1篇浙江大学

作者

  • 1篇徐正国
  • 1篇刘丹

传媒

  • 1篇上海应用技术...

年份

  • 1篇2015
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
重复过流冲击下IGBT的性能退化研究被引量:2
2015年
实际应用中,功率变流器经常会发生过流,重复的过流冲击会造成其功率器件绝缘栅型双极性晶体管(IGBT)的性能退化,并形成累积损伤,最终导致失效,而突然的失效会带来经济损失和安全问题,故需对重复过流冲击下IGBT的性能退化进行研究,建立相应的在线监测方法.针对目前对IGBT在重复过流下性能退化的研究较欠缺,搭建了过流冲击的实验平台来实现IGBT的重复过流冲击实验;采集重复过流冲击过程中IGBT外部端子的电气量,并提出相应的新的性能退化指标——导通电阻.结果表明:重复过流冲击会造成IGBT的性能退化,影响其外部电气特性;提出的退化指标——导通电阻明显地表征了IGBT内部累积损伤的程度.
刘丹徐正国
关键词:过流导通电阻
共1页<1>
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