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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇闪烁晶体
  • 2篇提拉法
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体生长
  • 2篇光输出
  • 2篇CE
  • 1篇石榴石
  • 1篇提拉法生长
  • 1篇抛光
  • 1篇
  • 1篇LIGHT
  • 1篇LSO
  • 1篇LU
  • 1篇掺铈

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇冯大建
  • 2篇付昌禄
  • 2篇李和新
  • 2篇胡少勤
  • 2篇岑伟
  • 2篇丁雨憧
  • 2篇刘军
  • 1篇蒋春健
  • 1篇尹红
  • 1篇石自彬
  • 1篇龙勇
  • 1篇王佳
  • 1篇徐扬
  • 1篇李德辉
  • 1篇胡吉海
  • 1篇赵晓东

传媒

  • 3篇压电与声光

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2006
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
?5.5cm Lu_3Al_5O_(12)∶Pr晶体生长与闪烁性能研究被引量:1
2015年
采用中频感应提拉法生长出?55mm×100mm的好质量Lu3Al5O12∶Pr(Pr∶LuAG)晶体,并对晶体进行X线粉末衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱、脉冲高度谱和脉冲形状谱。实验结果表明,Pr∶LuAG晶体的发光中心波长为308nm,光输出为19 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为23ns。
丁雨憧刘军冯大建李和新岑伟王佳石自彬龙勇付昌禄胡少勤
关键词:闪烁晶体提拉法生长光输出
Ce:GAGG闪烁晶体生长与性能研究被引量:15
2016年
采用中频感应提拉法生长出φ50 mm×90 mm的高质量Ce:GAGG晶体,并对晶体进行X线衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱(XEL)、能谱和衰减时间特性。实验结果表明,Ce:GAGG晶体的发光中心波长为540nm,光输出为54 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为94ns。
冯大建丁雨憧刘军李和新付昌禄胡少勤
关键词:闪烁晶体石榴石提拉法光输出
LSO晶体及阵列加工技术研究被引量:3
2013年
闪烁体和闪烁探测器在工业、医学及某些核物理实验、地质探矿、安全检查和材料探伤等领域应用广泛。掺铈硅酸镥(Ce∶LSO)是一种高密度、高原子序数的闪烁晶体,因其对X线具有响应时间快,发光产额高,且具有一定的能量分辨率,不易潮解,对中子灵敏度低等独特优点,被认为是迄今为止综合性能最好的闪烁体。随着闪光X线摄影技术的发展,对小像素大面积Ce∶LSO闪烁晶体阵列加工提出了更高要求,从而给晶体阵列像素的加工造成困难。其阵列像素表面的切割、研磨、抛光等加工质量将直接影响后续晶体阵列组装,甚至影响到探测器件的质量和使用寿命。该文结合Ce∶LSO闪烁晶体的基本性质,对晶体的切割、研磨、抛光及阵列组装技术进行大量的实验和改进,通过控制合适的工艺参数,采用特殊的加工方法成功加工出高质量的Ce∶LSO闪烁晶体阵列。
李德辉徐扬尹红蒋春健胡吉海赵晓东冯大建
关键词:CE抛光
掺铈硅酸镥闪烁晶体生长研究
岑伟冯大建蒋春建
文献传递
共1页<1>
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