您的位置： 专家智库 > >

从红侠

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：南开大学滨海学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇发光二极管(...
  • 1篇低频
  • 1篇低频特性
  • 1篇电容
  • 1篇电容特性
  • 1篇电学
  • 1篇电阻
  • 1篇激光
  • 1篇激光二极管
  • 1篇发光器件
  • 1篇负电容
  • 1篇NC
  • 1篇LD
  • 1篇串联电阻

机构

  • 2篇北京大学
  • 2篇南开大学
  • 2篇天津大学
  • 1篇佛山科学技术...

作者

  • 2篇李杨
  • 2篇王存达
  • 2篇冯列峰
  • 2篇从红侠
  • 1篇张国义
  • 1篇朱传云
  • 1篇王军

传媒

  • 1篇光电子．激光
  • 1篇天津师范大学...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
650nm波长发光器件的电学特性研究
2010年
利用正向交流小信号结合直流I—U特性的方法对波长为650nm的发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的正向电学特性进行精确表征.电学测量结果表明:发光二极管和激光二极管的串联电阻并非常数,激光二极管的串联电阻、结电压、电导和电容在阈值附近均出现明显突变.对比激光二极管和发光二极管的电学特性,得到激光二极管阈值处电学特性的突变是激射发光的必然结果.
冯列峰李杨从红侠王存达
关键词：发光二极管(LED)串联电阻
发光二极管的低频电容特性
2009年
通过自建装置精确测试了发光二极管(LED)的低频(小于102Hz)电学特性。电学测量表明,所有LED在低频下都表现出明显的负电容(NC)现象,且频率越低NC现象越明显。调制发光测量表明,相对发光强度在低频下表现出明显饱和现象,并且随频率增加而减小。比较电学和光学的测量结果可以证实,辐射发光是产生NC现象的主要原因。通过对LED电学测量结果的详细分析得出了NC随电压和频率的变化关系式。
冯列峰李杨王军从红侠朱传云王存达张国义
关键词：低频特性发光二极管(LED)
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0