韩恒利
- 作品数：6 被引量：8H指数：1
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- CCD片上放大器直流输出电压影响因素分析
- 2013年
- 对电荷耦合器件(CCD)片上放大器直流输出电压的主要影响因素进行了研究,通过对不同源漏工艺、不同栅下注入剂量工艺条件对直流输出的影响分析,指出有效沟道长度和放大管栅下注入是CCD片上放大器直流输出电压的主要影响因素。
- 韩恒利汪凌唐利吕玉冰廖乃镘
- 关键词：CCD
- 背照式CCD图像传感器减薄技术研究被引量：7
- 2014年
- 提出了一种研磨减薄和化学腐蚀结合的方法,减薄CCD衬底。研磨减薄采用三氧化二铝的颗粒,减薄硅片至100μm,化学腐蚀采用HF酸、硝酸、冰乙酸组成的混合溶液。实验表明,HF酸、硝酸、冰乙酸比例为2∶1∶11时,混合溶液对衬底与外延层的腐蚀速率比达到89∶1。使用本技术减薄1 024×512可见光CCD,实现了背照式成像。
- 邓刚韩恒利钟四成
- 关键词：CCD减薄成像
- 消除CCD不良背景的工艺研究被引量：1
- 2008年
- 对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成像中的不良背景得到了有效控制。
- 李平郑杏平李仁豪雷仁方许宏韩恒利陈捷张故万汪琳
- 关键词：电荷耦合器件栅介质本征吸杂低温退火
- 背照式CCD量子效率的工艺仿真研究
- 2016年
- 使用Silvaco软件建立了背照式CCD仿真模型,利用该模型进行了工艺和器件仿真,研究了背面减薄、背面掺杂、界面陷阱和增透膜对背照式CCD量子效率的影响。仿真结果表明:界面陷阱和硅表面反射是量子效率损失的重要原因。在完全去除过渡区后,利用峰值位于表面且具有高杂质浓度梯度的背面掺杂和适当的单层增透膜,可获得峰值在90%以上的量子效率。
- 姜华男陈捷韩恒利熊玲
- 关键词：量子效率
- 不同源漏掺杂方式对CCD放大器的影响
- 2013年
- 通过对CCD片上放大器不同源漏掺杂条件、方块电阻、接触电阻、有效沟道长度的分析研究,确定了源漏工艺条件为磷离子注入能量100keV、剂量5×1015 cm-2。分析了扩散、离子注入源漏掺杂对放大器直流输出的影响,结果表明,当宽长比为4/1时,注入源漏掺杂制作的放大器直流输出与仿真值差异为0.28V,优于扩散工艺。
- 王晓强林海青许青韩恒利
- 关键词：放大器离子注入沟道长度直流输出
- BCCD沟道电势直流测试方法研究
- 2011年
- 提出了一种对BCCD(埋沟电荷耦合器件)沟道电势的直流测试方法,并对此进行了理论分析和实验研究,该方法能快速、准确地进行BCCD沟道电势测试,确定BCCD随栅压变化的沟道电势曲线。实验结果表明,选取宽长比为11/5的NMOS管、源电流为0.01μA的测试条件,能够很好地模拟BCCD的工作状态。通过对1 024×1 024可见光BCCD进行验证测试,证实该方法可靠。
- 汪凌韩恒利任利平廖晓航柳益苏玉棉岳志强
- 关键词：BCCD
