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金伟

作品数:3 被引量:4H指数:1
供职机构:表面物理与化学重点实验室更多>>
发文基金:中国工程物理研究院科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:核科学技术一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇核科学技术
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 1篇等离子
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体发生...
  • 1篇第一壁
  • 1篇同位素
  • 1篇起泡
  • 1篇氢同位素
  • 1篇面向等离子体...
  • 1篇金属
  • 1篇聚变
  • 1篇聚变堆
  • 1篇
  • 1篇

机构

  • 3篇表面物理与化...
  • 2篇四川大学
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 3篇金伟
  • 1篇叶小球
  • 1篇高涛
  • 1篇陈长安
  • 1篇杨勇彬
  • 1篇王维
  • 1篇梁传辉
  • 1篇李强

传媒

  • 2篇第二届中国氚...
  • 1篇材料导报

年份

  • 3篇2017
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
面向等离子体材料钨中氘/氦滞留行为的研究进展被引量:4
2017年
作为面向等离子体材料,钨(W)在服役的过程中不仅受到等离子体造成的高能热负荷的作用,还受到高束流粒子如氘(D)、氚(T)、氦(He)等的轰击和D-T聚变反应产生的高能中子的影响。W中D、T、He的滞留和起泡,仍是聚变堆装置中有待解决的关键问题之一。综述了D、T和He的滞留行为及其气泡形成与辐照条件之间的关系,简要评述了W的服役性能和强化机理。通过降低W中D/He滞留量、抑制气泡的形成可有效改善W的服役性能。深入研究D/He滞留行为与辐照缺陷之间的相互作用关系,进而构建D/He的宏观热脱附行为与其微观状态之间的对应关系,为寻找合适途径来改善W的服役性能提供理论支撑。
王维叶小球陈长安李强金伟杨勇彬高涛
关键词:起泡
金属钨缺陷对氢同位素驻留行为的影响
金属钨是聚变堆面向等离子体第一壁的重要候选材料。在聚变反应过程中,钨材料承受多种粒子的轰击而产生不同类型缺陷。缺陷的类型和密度对氢同位素在钨材料中驻留行为的影响规律研究仍属于开放性课题。本工作拟利用高能粒子辐照实验在钨金...
梁传辉金伟娄元付徐海燕陈长安
关键词:氢同位素
文献传递
用于模拟聚变堆第一壁工况的等离子体发生器的特性
<正>聚变堆中等离子体与面向等离子体材料的相互作用,不仅关系到聚变等离子体的纯净度,还直接影响氘氚燃料循环效率。目前,线性磁约束装置常作为模拟手段来研究聚变反应堆氢氦等离子体与第一壁材料的相互作用过程,探索第一壁材料的服...
金伟梁传辉徐海燕芶富均陈长安
文献传递
共1页<1>
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