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桂涛

作品数:10 被引量:8H指数:2
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 7篇碳热还原
  • 7篇热还原
  • 5篇粉体
  • 5篇靶材
  • 5篇SUB
  • 5篇ZRB
  • 4篇高强石墨
  • 3篇形貌
  • 3篇致密化
  • 3篇碳热还原法
  • 3篇碳热还原反应
  • 3篇热还原法
  • 2篇陶瓷
  • 2篇添加剂
  • 2篇硼化锆
  • 2篇热压
  • 2篇热压烧结
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射靶材
  • 2篇LT

机构

  • 10篇北京有色金属...
  • 1篇北京科技大学

作者

  • 10篇王星明
  • 10篇白雪
  • 10篇刘宇阳
  • 10篇桂涛
  • 9篇杨磊
  • 5篇储茂友
  • 5篇彭程
  • 1篇孙静
  • 1篇宋波
  • 1篇王力军
  • 1篇曹子宇

传媒

  • 2篇稀有金属
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇工程科学学报

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2016
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种ZrB<sub>2</sub>粉体的制备方法
本发明提供了一种ZrB<Sub>2</Sub>粉体的制备方法,属于硼化物高温陶瓷粉体制备技术领域。该方法包括以下步骤:以二氧化锆、硼酸及碳粉为原料,氯化钠、硼为反应添加剂,将原料和添加剂混合均匀后在真空条件下加热脱水,对...
王星明杨磊彭程白雪刘宇阳桂涛
文献传递
非晶半导体薄膜用Te系化合物靶材制备被引量:3
2019年
采用真空熔炼法,经急冷和缓冷两种不同冷却条件制备了Te系化合物TeAsGeSi合金粉体.通过X射线衍射分析,急冷工艺制备粉体呈非晶态,缓冷工艺制备的粉体呈晶态,结晶主相为R-3m空间群的As_2GeTe_4;差热-热重分析显示,升温至350℃时缓冷粉体As_2GeTe_4成分熔融,400℃时两种粉体均开始快速失重,为避免制备过程中发生材料熔融及挥发损失,确定烧结温度不超过340℃.采用真空热压法制备TeAsGeSi合金靶材,将两种粉体分别升温至340℃,加压20 MPa,保温2 h制备出两种靶材,其中缓冷粉体制备的靶材致密度高,为5. 46 g·cm^(-3),达混合理论密度的99. 5%,形貌表征显示此靶材表面平整,孔洞少,元素分布均匀.
潘兴浩储茂友王星明刘宇阳白雪桂涛张朝
关键词:非晶半导体粉体靶材致密化
一种高致密度ZrB<Sub>2</Sub>陶瓷的制备方法
本发明属于超高温陶瓷材料制备技术领域,提供了一种高致密度ZrB<Sub>2</Sub>陶瓷的制备方法。该方法具体步骤为:首先采用碳热还原法和自蔓延法分别制备ZrB<Sub>2</Sub>粉体,再将自蔓延法制备的ZrB<S...
王星明杨磊桂涛白雪刘宇阳储茂友彭程
一种高致密度ZrB<Sub>2</Sub>陶瓷的制备方法
本发明属于超高温陶瓷材料制备技术领域,提供了一种高致密度ZrB<Sub>2</Sub>陶瓷的制备方法。该方法具体步骤为:首先采用碳热还原法和自蔓延法分别制备ZrB<Sub>2</Sub>粉体,再将自蔓延法制备的ZrB<S...
王星明杨磊桂涛白雪刘宇阳储茂友彭程
文献传递
一种<Sup>10</Sup>B富集的ZrB<Sub>2</Sub>溅射靶材的制备方法及应用
本发明提供了一种<Sup>10</Sup>B富集的ZrB<Sub>2</Sub>溅射靶材的制备方法及应用,属于溅射靶材制备及应用领域。该方法包括以下步骤:采用碳热还原反应制备<Sup>10</Sup>B富集的ZrB<Su...
王星明刘宇阳杨磊彭程白雪桂涛储茂友
文献传递
碳热还原法合成硼化锆粉体影响因素探究
2018年
以氧化锆(ZrO_2)、硼酸(H_3BO_3)和碳(C)粉为原料,研究了不同碳粉(活性炭、石墨)与前驱体粒度、温度及保温时间对碳热还原法制备硼化锆(ZrB_2)粉体的影响。通过X射线衍射(XRD)分析合成粉体物相,扫描电镜(SEM)观察合成粉体形貌,并通过化学方法分析了合成粉体中的C、O含量。结果表明:以活性炭为碳源合成的粉体形貌呈条棒状,以石墨为碳源合成的粉体形貌呈规则的块状;合成粉体的粒度随前驱体粒度减小而减小,形貌由规则的块状逐渐转变为圆滑的不规则形貌,合成ZrB_2粉体最小平均粒度约为1. 69μm,产物中C含量随前驱体粒度减小而减少,O含量随前驱体粒度减小而增加,氧含量最低为0. 54wt%;碳热还原法合成ZrB_2粉体在1500℃下是可行的,但直到1900℃碳热还原反应合成ZrB_2才进行完全;碳热还原反应合成ZrB_2粉体最佳的反应条件为1900℃保温30 min。
桂涛杨磊杨磊刘宇阳白雪王星明王力军
关键词:硼化锆碳热还原形貌粒度
单一相硼化锆靶材热压烧结深度致密化研究
对单一相硼化锆靶材进行深度致密化。以氧化锆、硼酸和石墨为原料,以硼(B)粉为添加剂,利用碳热还原法制备硼化锆(ZrB2)粉体,采用热压烧结法对制得粉体进行深度致密化研究。通过X 射线衍射(XRD)分析物相,扫描电镜(SE...
桂涛杨磊刘宇阳白雪王星明
关键词:硼化锆碳热还原热压烧结致密化
添加剂对碳热还原反应制备ZrB_2粒径及形貌的影响被引量:2
2017年
以ZrO_2,H_3BO_3和C粉为原料,利用碳热还原反应制备ZrB_2粉体。通过X射线衍射(XRD)分析粉体物相、扫描电镜(SEM)观察粉体形貌、能谱(EDS)分析粉体成分,并对粉体进行粒度和比表面积分析,研究了B粉、ZrB_2晶种、NaCl作为添加剂对ZrB_2粉体粒径及形貌的影响。结果表明:添加适量B粉可以提高ZrB_2的生成转化率,同时减小颗粒尺寸,得到细小的ZrB_2颗粒,当B粉添加量为5%时,粉体平均粒径最小,为4.8μm;随着ZrB_2晶种含量的增加,ZrB_2粉体平均粒径增大、比表面积减小,同时颗粒形貌趋于不规则,联接与团聚现象更加严重,当ZrB_2晶种含量达到15%时,粉体平均粒径最大,为7.3μm;在NaCl作用下,ZrB_2颗粒沿某一方向生长明显,颗粒尺寸显著增大,形貌呈长条状,并且随着NaCl含量增加,颗粒生长得更加粗大,当NaCl含量为15%时,粉体平均粒径增大至9.1μm。
杨磊孙静桂涛刘宇阳白雪王星明
关键词:添加剂粒径形貌
一种10B富集的ZrB&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;溅射靶材的制备方法及应用
本发明提供了一种<Sup>10</Sup>B富集的ZrB<Sub>2</Sub>溅射靶材的制备方法及应用,属于溅射靶材制备及应用领域。该方法包括以下步骤:采用碳热还原反应制备<Sup>10</Sup>B富集的ZrB<Su...
王星明刘宇阳杨磊彭程白雪桂涛储茂友
Ag-B靶材热压制备及致密化过程研究被引量:3
2016年
以化学组成Ag∶B=93∶7(质量比)的混合粉体为原料,采用热压烧结制备Ag-B靶材。通过阿基米德法测量靶材密度、扫描电镜(SEM)观察靶材断面形貌、X射线衍射仪(XRD)分析物相、差示扫描量热法(DSC)分析粉体相变,研究了热压工艺对靶材致密度和微观组织的影响,并探讨了Ag-B靶材的致密化过程。结果表明:Ag-B粉体在升温至1000℃过程中,Ag,B之间未形成固溶体或金属间化合物,但B的加入降低了Ag-B粉体的熔化潜热;在450~750℃温度范围内,温度升高靶材相对密度从81.8%增加至95.3%;烧结温度超过750℃后,出现“反致密化现象”,800℃时靶材相对密度下降至89.2%;Ag-B靶材的相对密度随着热压压力、保温保压时间的增加而增加;相比较而言,烧结温度和保温保压时间是Ag-B靶材致密化的主要因素;在烧结温度750℃、保温保压时间120 min、压强28 MPa条件下,Ag-B靶材致密度达到95.3%。
曹子宇刘宇阳桂涛白雪杨磊王星明
关键词:热压烧结致密化
共1页<1>
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