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新型自组装材料的制备及其对钍的识别研究: 2010年; 以钍(Ⅳ)为模板离子,制备了基于硅胶表面修饰的离子印迹聚合物.采用傅立叶变换红外光谱和N2吸附-脱附对其进行了结构表征.通过静态分析和动态分析系统研究了印迹聚合物对钍(Ⅳ)的吸附行为及选择性,结果表明该印迹材料对钍(Ⅳ)的等温吸附线属于Langmuir吸附模型.与非印迹聚合物相比,离子印迹聚合物对钍(Ⅳ)离子有较好的选择识别能力,模板离子钍(Ⅳ)相对竞争离子铀(Ⅵ)、镧(Ⅲ)和铈(Ⅲ)的选择系数分别是50.8,78.3和82.6.并且吸附速率快,10 min即达到吸附平衡,最大吸附容量为56.8 mg/g,可望在分离富集领域获得实际应用.; 程治强王宏青王榆元何芳芳张海生杨诗晴; 关键词：钍离子印迹聚合物

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杨诗晴