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四结太阳能电池InGaP/GaAs/GaInAsN/Ge的设计与模拟: 2011年; 随着多结太阳能电池技术的发展,追求更高效率的四结太阳能电池结构InGaP/GaAs(InGaAs)/(新材料)/Ge受到广泛的研究。四元化合物材料Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)N_y通过控制其组分比例,其禁带宽度可以调整为0.95ev-1.05ev,并且可以与GaAs,Ge实现晶格匹配,是应用于新一代太阳能电池最有潜力的新材料。在本文中我们设计了新一代多结太阳能电池InGaP/GaAs/GaInAsN/Ge,并首次应用Apsys软件对其电特性进行了模拟,与传统的InGaP/GaAs/Ge结构进行对比。结果显示,该结构可以获得较高的转换效率。; 张国芳唐吉玉陈俊芳周福成林邦惜廖建军; 关键词：GAINASN 太阳能电池

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廖建军