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宋立凡

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：江南大学信息工程学院更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏省高等学校大学生实践创新训练计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇应变硅
  • 1篇有限元
  • 1篇锗硅
  • 1篇NMOS

机构

  • 1篇江南大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇于宗光
  • 1篇周东
  • 1篇顾晓峰
  • 1篇宋立凡
  • 1篇张庆东

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
应变硅NMOS晶体管沟道应变的模拟研究被引量：2
2009年
建立了一种基于硅/锗硅异质结构的应变硅NMOS晶体管的有限元模型,通过模拟研究了沟道区的应变分布及其与器件参数的关系。结果表明,提高锗硅虚拟衬底中锗的摩尔组分、减小应变硅层厚度,可以增加沟道应变。此外,应变量还随器件结构长度的增加而增加。研究结果可为应变硅器件的设计、工艺优化提供参考依据。
张庆东周东顾晓峰宋立凡于宗光
关键词：应变硅锗硅有限元
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共1页<1>
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