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吴颖

作品数：30 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇中文专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...

主题

  • 13篇电子设备
  • 12篇晶体管
  • 11篇存储器
  • 9篇沟道
  • 9篇半导体
  • 6篇电路
  • 6篇场效应
  • 5篇电压
  • 5篇半导体器件
  • 5篇场效应晶体管
  • 5篇存储阵列
  • 4篇铁电
  • 4篇微缩
  • 4篇芯片
  • 4篇集成电路
  • 4篇共轭
  • 3篇锁存
  • 3篇锁存器
  • 3篇铁电存储器
  • 3篇漏极

机构

  • 30篇华为技术有限...

作者

  • 30篇吴颖
  • 2篇张瑜
  • 2篇张恒
  • 2篇王正波
  • 2篇金明

年份

  • 3篇2025
  • 10篇2024
  • 15篇2023
  • 1篇2020
  • 1篇2016
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件
本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括场效应晶体管。该场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。源极和漏极分别位于氧化物半导体沟道的两端。漏极和源极分别与氧化物半导体沟道的多个表面相接触以增大源极...
吴颖侯朝昭许俊豪
半导体器件及其制造方法
本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括源极和漏极，分别具有第一掺杂类型；栅极，位于所述源极与所述漏极之间；以及源极触点和漏极触点，所述源极触点与所述源极接触，所述漏极触点与所述漏极接触，所述源极触点和...
王学雯吴颖许俊豪
晶体管和存储阵列
本申请公开了一种晶体管和存储阵列，该晶体管包括源极、漏极和至少一个沟道组，沿水平方向至少一个沟道组位于源极和漏极之间，沟道组包括内核和环绕内核的沟道层，沟道层与源极和漏极接触，其中，内核包括第一绝缘层，以及沟道组还包括环...
詹士杰吴颖许俊豪
半导体器件、电子设备
本申请实施例提供一种半导体器件，和包含有该半导体器件的电子设备。涉及逻辑门电路工艺技术领域。主要提供可以简化互连工艺的逻辑门电路。该半导体器件包括衬底和形成在衬底上的第一逻辑门电路，第一逻辑门电路具有：输入端和共轭输入端...
李骏康 詹士杰吴颖 许俊豪 廖恒
铁电场效应晶体管、存储阵列及其控制方法、存储装置
本申请提供一种铁电场效应晶体管、存储阵列及其控制方法、存储装置，涉及铁电场效应晶体管领域，能够降低对铁电场效应晶体管中铁电层的电压扰动(disturb)。该铁电场效应晶体管中包括第一栅极、第二栅极、第一介质层、沟道层、铁...
詹士杰吴颖吕杭炳许俊豪
一种场效应晶体管、其制作方法及集成电路
本申请提供一种场效应晶体管、其制作方法及集成电路，该场效应晶体管可以包括：第一冷源极、第二冷源极、沟道、栅极，以及栅极介质层。第一冷源极包括：第一掺杂层、第二掺杂层，以及第一导体层，第一掺杂层与沟道接触。第二冷源极包括：...
董耀旗侯朝昭王嘉乐吴颖许俊豪
铁电存储器及其形成方法、电子设备
本申请实施例提供一种铁电存储器及其形成方法、包含有该铁电存储器的电子设备。主要用于提升铁电存储器的存储密度。该铁电存储器包括：衬底和形成在衬底上的多个存储单元，每个存储单元包括铁电场效应晶体管；其中，铁电场效应晶体管包括...
景蔚亮黄凯亮冯君校王正波吴颖许俊豪
锁存器、触发器及芯片
本申请提供了一种锁存器、触发器及芯片，涉及数字电路领域，能够减少触发器中晶体管的数量。该锁存器包括信号输入端、信号输出端、控制信号端、第一电压端、第二电压端、上拉电路和下拉电路。其中，锁存器中的晶体管均采用N型场效应晶体...
景蔚亮吴颖侯朝昭范人士许俊豪
存储阵列及其制备方法、存储器及电子设备
本申请提供一种存储阵列及其制备方法、存储器及电子设备，涉及半导体技术领域。该存储阵列包括堆叠设置的第一层结构、第二层结构、第一导电结构和第二导电结构，第一层结构包括第一晶体管和第二晶体管，第二层结构包括第三晶体管和第四晶...
金明韦庆松吴颖詹士杰王恒宋伟基许俊豪
一种环形反相器、锁存器、存储电路、存储器及电子设备
本申请提供一种环形反相器、锁存器、存储电路、存储器及电子设备，涉及半导体设计与制造技术领域，采用垂直晶体管制作环形反相器，可以减少环形反相器的占用面积，提高环形反相器的集成密度，进而在采用该种环形反相器制作锁存器，继而采...
詹士杰吴颖李骏康许俊豪
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