邹文祥
- 作品数：2 被引量：10H指数：2
- 供职机构：南昌大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 直流磁控溅射制备AlN薄膜的结构和表面粗糙度被引量：7
- 2011年
- 采用直流磁控反应溅射法,在Si(111)基底上成功制备了多晶六方相AlN薄膜.研究了溅射过程中溅射气压对薄膜结构和表面粗糙度的影响.结果表明:当溅射气压低于0.6 Pa时,薄膜为非晶态,在傅里叶变换红外光谱中,没有明显的吸收峰;当溅射气压不低于0.6 Pa时,薄膜的X射线衍射图中均出现了六方相的AlN(100)、(110)和弱的(002)衍射峰,说明所制备的AlN薄膜为多晶态,在傅里叶变换红外光谱中,在波数为677 cm-1处有明显的吸收峰;随着溅射气压的增大,薄膜表面粗糙度先减小后增大,而薄膜的沉积速率先增大后减少,且沉积速率较大有利于减小薄膜的表面粗糙度;在溅射气压为0.6 Pa时,薄膜具有最小的表面粗糙度和最大的沉积速率.
- 邹文祥赖珍荃刘文兴
- 关键词：ALN薄膜溅射气压表面粗糙度
- 溅射气压对DC磁控溅射制备AlN薄膜的影响被引量：3
- 2011年
- 采用DC反应磁控溅射法,在Si(111)和玻璃基底上成功的制备了AlN薄膜。研究溅射过程中溅射气压对薄膜性能的影响。结果表明:薄膜中原子比N/Al接近于1;当溅射气压低于0.6 Pa时,薄膜为非晶态;当溅射气压不低于0.6 Pa时,薄膜的XRD图中均出现了6方相的AlN(100)、(110)和弱的(002)衍射峰,说明所制备的AlN薄膜为多晶态;气压为0.6 Pa时对应衍射峰的半高峰宽较小,薄膜的结晶性较好,随着溅射气压的继续增大,薄膜结晶性变差;在不同的溅射气压(0.6-1.0 Pa)下,AlN薄膜在250-1 000 nm波长范围内的透过率均在82%以上,且随溅射气压的增大略有升高。
- 赖珍荃邹文祥李海翼刘文兴
- 关键词：ALN薄膜磁控溅射溅射气压透过率
