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基于单根酞菁铜纳米线的FET式H_2S气体传感器被引量：2: 2015年; 结合FET和一维微纳材料的优势,构筑了具有高灵敏度和低检测极限的FET式H2S气体传感器。研究结果发现,在室温条件下,器件对体积分数5×10–6至50×10–6的H2S具有良好的灵敏度和低检测极限(5×10–6)。相比于薄膜FET传感器,检测极限降至原来的1/20。与PMMA绝缘层比较研究结果显示:引起器件对H2S的高器件性能的原因主要归因于被暴露的导电沟道和微纳材料的性质。; 塔力哈尔.夏依木拉提尚志勇李文亮彭敏孟军霞谢宁; 关键词：H2S OFET 气体传感器纳米线酞菁铜

基于气体绝缘层的FET式室温NO_2传感器被引量：2: 2017年; 采用电子束刻蚀、机械探针贴膜等方法,构筑了基于气体绝缘层结构的单根酞菁铜纳米线FET式NO_2气体传感器。结果发现,在室温条件下,器件的检测极限为1×10^(–6)(NO_2体积分数),其灵敏度高达2 172%,该结果相比于薄膜气体传感器检测极限降至十分之一。除此之外,该器件在室温条件下可以恢复至基线,在低浓度、室温监测方面有着较好的优势。; 塔力哈尔.夏依木拉提吐尔迪.吾买尔尚志勇冯艳谢宁彭敏; 关键词：FET 气体传感器纳米线室温

立方钙钛矿RbZnF_3电子、弹性和光学性质的第一性原理研究被引量：1: 2017年; 基于密度泛函理论和赝势平面波方法研究了立方钙钛矿RbZnF_3的电子结构和光学性质;利用静水有限应变技术计算研究了RbZnF_3弹性常数Cij、体积弹性模量B和剪切模量G随压力的变化关系.基态下,RbZnF_3晶格常数a和体积弹性模量B0计算值与实验值以及其他理论值一致.根据能带结构、总态密度以及分波态密度分析可知:基态下立方钙钛矿结构RbZnF_3为间接带隙半导体材料,带隙为3.57eV,与其他计算结果比较,本文计算结果偏低,这是由于局域密度近似(LAD)或广义梯度近似(GGA)交换关联函数的局限性所致.基态下RbZnF_3的Mulliken电荷分布和集居数说明:RbZnF_3属于共价键和离子键所形成的混合键化合物;RbZnF_3的电荷总数主要来源于Rb 4s和4p轨道,Zn 3d轨道,以及F 2s和2p轨道.电荷主要从Rb,Zn原子向F原子转移.同时,本文还计算研究了RbZnF_3的光学介电函数、吸收系数、复折射率、能量损失谱和反射系数等光学性质.; 冯艳刘丽吐尔迪.吾买尔谢宁; 关键词：第一性原理光学性质

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谢宁