谢东华
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京理工大学更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术金属学及工艺一般工业技术更多>>
- USb_2单晶的生长、磁性和输运性质研究
- 2016年
- 采用Sb自助熔剂法成功生长高质量的USb_2单晶,并研究了磁化率、电阻、磁阻和比热容等性质。研究表明,中等关联强度的USb_2中的5f电子具有巡游和局域双重特征。USb_2中的5f电子在260 K附近开始发生相干,203 K由顺磁态转变为反铁磁态,进行费米面的重构。在113 K以下局域的5f电子与传导电子发生第一次杂化使费米面附近电子结构发生变化。在54 K以下通过第二次杂化使得费米面附近形成了杂化能隙。在更低温度下晶体场效应对物理性质也产生了一定的影响。
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- 关键词：助熔剂法磁化率输运性质
- U(Ga0.95Mn0.05)3的自旋玻璃行为研究
- 采用镓自助熔剂方法制备了U(Ga0.95Mn0.05)3 单晶.经X 射线衍射分析,Mn 元素在UGa3 中成功掺杂且比UGa3 的晶格常数变小.U(Ga0.95Mn0.05)3 的ZFC 和FC 曲线低温42 K附近出...
- 谢东华赖新春刘毅冯卫张云陈秋云罗丽珠
- 几种铀基重电子材料的单晶制备及物性研究
- 近藤作用与RKKY相互作用的竞争导致重电子材料在低温下会出现各种奇异基态,例如,非常规超导态,磁有序态,非费米液体行为,近藤绝缘行为。铀基重电子材料为研究强关联体系提供了重要的研究平台,对其奇异物理性质的研究为深化我们对...
- 谢东华
- 关键词：能隙电荷密度波
- 文献传递
- UFeGa_5单晶生长及晶体结构研究被引量：1
- 2014年
- 采用镓自助熔剂的方法生长出了UFeGa5单晶,采用X射线衍射技术和Rietveld方法对UFeGa5晶体结构进行了研究。结果表明:生长出的UFeGa5单晶体结构完整,结晶性好。UFeGa5具有HoCoGa5型四方结构,空间群为P4/mmm(No.123),其晶格常数为a=0.42533(2)nm,c=0.67298(3)nm,并得到了透射电镜(TEM)实验验证。
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- 关键词：助熔剂法晶体结构
- 金属铀单晶薄膜的制备及电子特性的研究
- 在干净有序的W(110)基底上沉积金属U 薄膜,在沉积过程中,薄膜为层状生长方式.通过在超高真空条件下(优于5×10-10 mbar)对薄膜进行退火的方法,获得了具有较高择优取向的金属U 单晶薄膜,LEED 出现非常明锐...
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