- Ga-N共掺氧化锌纳米线阵列制备及发光性能研究被引量：3
- 2017年
- 采用化学气相沉积法(CVD)以一氧化氮(NO)和氧化镓(Ga_2O_3)为掺杂源,在c轴取向单晶蓝宝石衬底上外延生长镓氮(Ga-N)共掺氧化锌(ZnO)纳米线阵列。利用SEM,XRD,HRTEM,XPS,PL等测试手段对掺杂后的ZnO纳米线阵列进行结构、成分和光学性能表征。结果表明,Ga-N共掺ZnO纳米线阵列保持六方纤锌矿结构,沿(002)方向择优生长;掺杂元素在样品中均匀分布。随着掺杂浓度增加,纳米线由六棱柱结构转变为尖锥层状结构,长度由2μm减小到1μm,锥度增加至0.95;N1s/Ga2p/Zn2p峰结合能向低能态方向移动。PL光谱分析表明,所有样品均出现紫外发光峰和绿光发光峰,不同掺杂浓度的缺陷发光强度不同。
- 娄猛张明光苏明明宋周周沈典典张翔晖
- 关键词：化学气相沉积法高分辨透射电子显微镜X射线光电子能谱荧光光谱
