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王金鑫

作品数：8 被引量：5H指数：1
供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
发文基金：黑龙江省博士后科研启动基金哈尔滨市科技创新人才研究专项资金更多>>
相关领域：理学交通运输工程机械工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇变换器
  • 2篇电感
  • 2篇电力
  • 2篇电力电子
  • 2篇电力电子变换
  • 2篇电力电子变换...
  • 2篇电热效应
  • 2篇乙二醇
  • 2篇乙二醇单甲醚
  • 2篇乙酸
  • 2篇正丙醇
  • 2篇制冷
  • 2篇制冷领域
  • 2篇瞬态
  • 2篇瞬态电流
  • 2篇碳化硅
  • 2篇钛酸铅
  • 2篇锆钛酸铅
  • 2篇寄生电感
  • 2篇甲醚

机构

  • 8篇哈尔滨工业大...
  • 1篇东北林业大学

作者

  • 8篇王金鑫
  • 3篇张千帆
  • 2篇杨彬
  • 2篇刘丹青
  • 2篇曹文武
  • 2篇崔淑梅
  • 2篇黄伟城
  • 2篇郑立梅
  • 1篇韩亚萍
  • 1篇董帅

传媒

  • 1篇黑龙江大学自...

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2016
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
无辅助电路单相准Z源整流器软开关控制方法
无辅助电路单相准Z源整流器软开关控制方法。它涉及准Z源整流器软开关的控制方法。它解决了现有技术需要额外的谐振电路，同时还需要耐压等级更高的功率器件的问题。本方法基于单相准Z源可控整流器实现，S7为准Z源的功率开关，S1‑...
张千帆那拓扑董帅曲建真王金鑫袁雪
文献传递
具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法
具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法，涉及微电子器件制冷领域。本发明是为了解决现有缺少采用非取向薄膜形式对集成电路进行制冷的方法的问题。将乙酸铅溶于冰乙酸溶液中并加热去除水分得溶液A，将正丙醇锆和钛酸四丁酯...
姜桂铖王金鑫杨彬郑立梅刘丹青黄伟城曹文武
文献传递
基于交错并联DC-DC的EV驱动-充电集成系统关键问题研究
随着新能源汽车的迅速发展，电动汽车的相关技术也不断在进步，电动汽车的各个部件也在朝着高效率，高功率密度的方向发展。针对电动汽车驱动用双向DC-DC变换器，交错并联技术被采用以提升DC-DC变换器的功率密度，通过集成驱动模...
王金鑫
关键词：电动汽车直流-直流变换器交错并联
具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法
具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法，涉及微电子器件制冷领域。本发明是为了解决现有缺少采用非取向薄膜形式对集成电路进行制冷的方法的问题。将乙酸铅溶于冰乙酸溶液中并加热去除水分得溶液A，将正丙醇锆和钛酸四丁酯...
姜桂铖王金鑫杨彬郑立梅刘丹青黄伟城曹文武
文献传递
脉冲激光沉积制备MgO非晶薄膜介电性质的研究被引量：4
2016年
利用脉冲激光沉积技术在高电导P-Si和绝缘体Si O2上沉积了Mg O非晶薄膜,并对Si O2上的Mg O薄膜进行了透过率及XRD表征。构造了金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管结构P-Si/Mg O/Ag,测量了其C-F曲线,计算得到K-ω曲线,通过拟合计算得到Mg O的介电常数和等效厚度,与Si O2的等效厚度进行对比发现,非晶Mg O作为高K值绝缘栅介质材料优于Si O2。
韩亚萍封敬艳王金鑫
关键词：MOS介电性质
基于布线优化的碳化硅功率开关器件并联设计方法
一种基于布线优化的碳化硅功率开关器件并联设计方法，属于电力电子技术领域。本发明针对现有SiC器件并联方案中，由于不相等的开关损耗和瞬态电流的限制，无法在多个SiC器件并联时发挥SiC器件的最佳性能的问题。包括在PCB电路...
张千帆曲建真崔淑梅王金鑫袁雪
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基于布线优化的碳化硅功率开关器件并联设计方法
一种基于布线优化的碳化硅功率开关器件并联设计方法，属于电力电子技术领域。本发明针对现有SiC器件并联方案中，由于不相等的开关损耗和瞬态电流的限制，无法在多个SiC器件并联时发挥SiC器件的最佳性能的问题。包括在PCB电路...
张千帆曲建真崔淑梅王金鑫袁雪
文献传递
锆钛酸铅基薄膜的铁电性能研究
进入21世纪以来，信息化已深入人心。随着科学技术的发展，信息的存储和处理成为了人们日常生活的主题。现今社会随着人们对生活品质要求的不断提升，电子产品的体积越来越小，功能越来越全面。这些都对电子器件提出了更高的要求，例如更...
王金鑫
关键词：溶胶-凝胶法铁电性能
文献传递
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