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王金川

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:天津市科技支撑计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇低功耗
  • 1篇电容
  • 1篇电源电压
  • 1篇动态偏置
  • 1篇增强型
  • 1篇偏置
  • 1篇启动时间
  • 1篇转换速率
  • 1篇无源RFID
  • 1篇芯片
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇功耗
  • 1篇LDO
  • 1篇标签
  • 1篇标签芯片

机构

  • 2篇天津大学
  • 1篇南开大学

作者

  • 2篇张为
  • 2篇王金川
  • 1篇韩旭
  • 1篇张平
  • 1篇张建
  • 1篇刘艳艳

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种应用于13.56MHz无源RFID标签芯片的带隙基准电压源被引量:1
2014年
在传统带隙结构基础上,实现了一种适用于13.56MHz无源RFID标签芯片的带隙基准电压源。电路设计采用SMIC 0.18/μm混合信号CMOS工艺实现,测试结果显示,电源电压输入范围在4.0~11.0V时,基准源输出电压为1.165±0.004V,7V电源电压、-40~100℃温度范围内,温漂系数为18.3×10-6℃,启动时间为6.8μs。
王金川张平张为张建
关键词:带隙基准启动时间电源电压
无片上电容的负载瞬态响应增强型LDO被引量:1
2016年
提出了一种无片上电容的低压差线性稳压器(LDO),通过增加转换速率增强电路,对LDO输出电压的变化进行探测,从而对误差放大器偏置电流进行补偿,达到改善负载瞬态响应的目的。该LDO基于0.18μm CMOS工艺设计,输出电压为1.2V,最大负载电流为100mA。仿真和测试结果表明,该LDO的瞬态负载响应改善明显,具有较好的低功耗特性,在保证电路稳定性的前提下,大大减小了芯片的面积。
韩旭张为王金川刘艳艳
关键词:低功耗动态偏置
共1页<1>
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