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杨建国

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇存储器
  • 2篇RRAM
  • 1篇电路
  • 1篇氧化铝
  • 1篇氧化钨
  • 1篇优化设计
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇总剂量辐照效...
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇灵敏放大器
  • 1篇可靠性
  • 1篇辐照效应
  • 1篇TID
  • 1篇XSI

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇林殷茵
  • 3篇杨建国
  • 2篇薛晓勇
  • 1篇王博
  • 1篇肖凡杰
  • 1篇周晓羽

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇复旦学报（自...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
不同工艺下操作算法对阻变存储器可靠性的影响
2016年
通过测试不同工艺条件下的导电丝形成算法与低阻阻值分布、烘烤失效率等的关系,研究了阻变存储器(RRAM)单元导电细丝形成过程对可靠性的影响,进一步对导电细丝形成过程的模型进行了优化。实验表明,随着脉宽的增大,操作电压幅值降低、成功率提高、烘烤失效率降低,进一步增加脉宽,烘烤失效率大大增加。通过比较不同工艺,发现在烘烤失效率降低时的脉宽条件(1 ms)下,氧化时间短、氧化功率大并且无退火条件的失效率高;而在烘烤失效率增加时的脉宽条件(10 ms)下,氧化时间短、氧化功率大并且无退火条件的失效率低。研究结果为设计RRAM单元操作算法提供了优化方向,同时通过对不同条件下RRAM单元可靠性的比较,优化了工艺配方。
王博杨建国林殷茵
关键词：可靠性
阻变存储器读电路的优化设计被引量：1
2013年
随着阻变存储器高阻态和低阻态间阻值窗口的减小,电流型灵敏放大器的读正确率降低.设计了一款电压型灵敏放大器,应用在读电路中,有效地解决了这一问题.该电压型灵敏放大器电路结构简单,经SMIC0.13μm下流片验证,它的读出时间为125ns,面积仅为756μm2,功耗为41.25μW,读窗口为260mV,相比电流型灵敏放大器50mV的读窗口有了很大的改进.
肖凡杰杨建国薛晓勇林殷茵
关键词：灵敏放大器
Cu_xSi_yO阻变存储器单粒子和总剂量辐照效应
2015年
对CuxSiyO结构的阻变存储器(RRAM)进行了总剂量(TID)以及单粒子辐照(SEE)实验。总剂量实验中,1T1R样品分别接受总剂量为1,2和3 k Gy(Si O2)的60Coγ射线辐射。样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象。单粒子辐照实验中,16 kbit RRAM阵列样品分别接受线性能量转移(LET)值最高达75 Me V的4种离子束的辐射。样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象。除一组无翻转外,存储单元的高阻到低阻的翻转率皆在0.06%左右。实验结果证实了RRAM中已经形成的导电通道不会受辐照影响,因此不存在低阻翻转为高阻的现象。
周晓羽薛晓勇杨建国林殷茵
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