徐文慧
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：天津职业技术师范大学电子工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究
- 2011年
- 在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18%,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82Ge0.18。随即在n-poly-Si0.82Ge0.18薄膜上溅射一层Co膜,形成Co/n-poly-Si0.82Ge0.18肖特基结。在90K～332K温度范围内,对样品进行变温I-V测试(I-V-T)。发现随测试温度的升高,表观理想因子na变小,肖特基势垒高度(SBH)变大。这是金属/半导体肖特基接触不均匀性的表现,对这种不均性进行建模,并和实验数据进行对比,两者基本符合。
- 王光伟姚素英徐文慧张建民
- 关键词：SIGE肖特基结
- 外加偏压对未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触特性的影响
- 2011年
- 采用直流离子束溅射法，在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱（AEs）测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0．15。对薄膜进行高温磷扩散后，经XRD测试为多晶态，即得n—poly—Si0.85Ge0.15。在n—poly—Si0.85Ge0.15上溅射一层薄的Co膜，做成Co／n—poly—Si0.85Ge0.15肖特基结样品。在90～332K范围对未退火样品做I-V-T测试。研究发现，随着外加偏压增大，表观理想因子缓慢上升，肖特基势垒高度（SBH）下降。基于SBH的不均匀分布建模，得到了二者近似为线性负相关的结论。
- 王光伟姚素英徐文慧马兴兵
- 关键词：肖特基结
- 纳米TiO_2的主要制备方法及光催化特性评述被引量：2
- 2011年
- 随着对半导体纳米TiO2研究的深入,其光催化特性及应用备受关注。在环保中,纳米TiO2常用于污染物的分解,是一种高效无二次污染的光催化剂。文章简要评述了纳米TiO2的基本性质和主要制备方法,探讨了其光催化机理以及在治污中的应用,对纳米TiO2光催化中存在的问题,提出了初步的解决方法。
- 徐文慧王光伟朱绮萱
- 关键词：纳米TIO2光催化环境保护
- 快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300～600℃范围内,对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小。总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释。
- 王光伟姚素英徐文慧王雅欣
- 关键词：肖特基结
- 快速热退火对Co/Si_(0.85)Ge_(0.15)肖特基结电学特性的影响
- 2011年
- 用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜。在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理(RTA),对处理后的样品进行了表面形貌和电学测量。发现退火温度升高,样品表面粗糙度变大,理想因子也变大,但对肖特基势垒高度(SBH)的影响很小。分析认为,随着退火温度的升高,金属/半导体界面缺陷态密度的增加是造成理想因子变大的主要原因。界面态对费米能级的"钉扎"以及固相反应生成锗硅化钴与Co的功函数大致相同,是SBH基本不随温度变化的主要因素。
- 王光伟姚素英肖夏徐文慧
- 关键词：肖特基结电学特性
