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张小玲

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:武汉理工大学理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇电子系统
  • 1篇体声波
  • 1篇体声波谐振器
  • 1篇通量
  • 1篇取向性
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇钛酸锶钡
  • 1篇外微分
  • 1篇微分
  • 1篇显微结构
  • 1篇谐振器
  • 1篇静电放电
  • 1篇环量
  • 1篇溅射
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇分布参数

机构

  • 5篇武汉理工大学
  • 2篇湖北大学

作者

  • 5篇张小玲
  • 2篇胡光
  • 2篇顾豪爽
  • 2篇张凯
  • 2篇胡靖华
  • 2篇孙晓冬
  • 1篇黎明发
  • 1篇叶先贤
  • 1篇徐晓英
  • 1篇廖红

传媒

  • 3篇武汉理工大学...
  • 1篇武汉大学学报...
  • 1篇武汉理工大学...

年份

  • 4篇2009
  • 1篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
1.6 GHz薄膜体声波谐振器研究被引量:1
2009年
AlN材料具有良好的压电特性和很高的声波速度,是制作性能优良薄膜体声波器件的首选材料之一。对氮化铝薄膜体声波谐振器原理进行了分析,探讨了氮化铝薄膜体声波谐振器的设计方法,在制备高c-轴取向氮化铝薄膜的基础上,通过上电极和氮化铝薄膜一次光刻两步刻蚀工艺方法制作了1.6 GHz氮化铝薄膜体声波谐振器,并探讨了谐振器的频率影响因素。
胡靖华孙晓冬张凯张小玲胡光顾豪爽
关键词:薄膜体声波谐振器
磁控溅射氮化铝薄膜取向生长工艺研究被引量:1
2009年
氮化铝薄膜取向性直接影响到薄膜的压电特性和声波速度,是薄膜体声波谐振器/滤波器工艺过程中最重要的环节之一。对AlN薄膜材料的反应磁控溅射沉积工艺进行了研究,通过对AlN薄膜的取向性分析及其与工艺条件的比较,优化了取向性AlN薄膜的生长工艺条件,制备出了高取向和高致密的AlN薄膜。
张小玲孙晓冬张凯胡光胡靖华顾豪爽
关键词:氮化铝取向性反应磁控溅射
不同温压MgO掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3显微结构
2009年
采用常压烧结和高压烧结2种方法制备了掺杂不同量氧化镁(MgO)的Ba0.6Sr0.4TiO3微波铁电陶瓷,采用SEM、XRD、光学显微镜等测试手段,分析研究了在不同条件下烧结样品的微观形貌特征、物相组成、光学特征等特点。结果表明:烧结试块的物相组成相同,都由MgO和BST两相构成,不同烧结条件对物相组成没有影响,只影响显微结构特点。
张小玲黎明发叶先贤
关键词:高温高压显微结构钛酸锶钡
电子系统对ESD辐射耦合的实验研究
2009年
为了获得电子系统对静电放电辐射耦合的规律,为电子设备的静电防护设计提供理论和实验依据,在IEC61000-4-2静电放电抗扰度测试平台上,对电子系统进行了接触式静电放电,测量在不同放电电压、不同耦合电路参数时,电子系统的耦合电压峰值和耦合电流峰值,分析了耦合电压峰值、耦合电流峰值及两者的乘积与放电电压、电路参数的关系.实验发现,在一定的放电电压范围内,耦合电压峰值和耦合电流峰值都与放电电压存在很好的线性关系,且耦合电压峰值随耦合电路参数有规律地变化;耦合电压峰值与耦合电流峰值的乘积与放电电压之间存在二次函数关系.
张小玲徐晓英
关键词:静电放电电子系统
用外微分运算分析具有分布参数的物理学系统
2007年
通过外微分方法运算导出Gauss公式和Stokes公式,并运用公式分析了具有分布参数的物理学系统。相比于传统的数学推导方法,外微分方法能更简明、直接地分析具有分布参数的物理学系统。
张小玲廖红
关键词:外微分分布参数GAUSS公式STOKES公式通量环量
共1页<1>
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