您的位置: 专家智库 > >

姚磊

作品数:2 被引量:11H指数:2
供职机构:哈尔滨理工大学应用科学学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划黑龙江省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇亚胺
  • 2篇酰亚胺
  • 2篇纳米
  • 2篇耐电晕
  • 2篇聚酰亚胺
  • 1篇电性能
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化铝
  • 1篇失重
  • 1篇热失重
  • 1篇纳米SIO2
  • 1篇纳米氧化铝
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇SIO
  • 1篇AL

机构

  • 2篇哈尔滨理工大...

作者

  • 2篇殷景华
  • 2篇姚磊
  • 1篇陈明华
  • 1篇夏旭
  • 1篇金荣
  • 1篇王志强
  • 1篇李佳龙
  • 1篇赵星

传媒

  • 1篇哈尔滨理工大...
  • 1篇绝缘材料

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
三明治结构聚酰亚胺/SiO_2纳米复合薄膜电学性能研究被引量:4
2017年
采用原位聚合法制备了三明治结构的Si O_2纳米掺杂聚酰亚胺(PI)复合薄膜Si O_2-PI/PI/Si O_2-PI。利用透射电镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)表征Si O_2纳米颗粒的分散状态及三层复合薄膜的断面结构,研究三层结构复合薄膜的介电性能、电导率、耐电晕性能和电气强度等电学性能。结果表明:Si O_2纳米颗粒可均匀地分散于聚酰亚胺基体中,三层复合薄膜具有清晰的界面分层;当Si O_2纳米颗粒掺杂量为20%时,三层复合薄膜的耐电晕老化时间最长,分别为纯PI和单层PI/Si O_2复合薄膜的26倍和2倍;当Si O_2纳米颗粒掺杂量为15%时,三层复合薄膜的电气强度达到最大值(280.6 k V/mm)。
王志强殷景华夏旭姚磊李佳龙
关键词:聚酰亚胺纳米SIO2耐电晕介电性能
聚酰亚胺/Al_2O_3纳米复合薄膜性能的研究被引量:7
2014年
采用原位聚合法制备聚酰亚胺/Al2O3无机纳米复合薄膜,利用透射电镜(TEM)测试掺杂前Al2O3纳米颗粒的尺寸,采用X射线衍射(XRD)分析薄膜相结构,利用紫外光谱仪等测试方法研究组分对复合薄膜的紫外可见光吸收光谱、热稳定性和耐电晕老化时间的影响.研究表明:Al2O3纳米颗粒掺杂到PI复合薄膜后,颗粒尺寸无明显变化,Al2O3纳米颗粒掺杂良好,能够与聚酰亚胺高分子链形成有机/无机复合结构;复合薄膜的紫外光吸收率提高,出现吸收峰红移现象;随着Al2O3纳米颗粒含量的增加,薄膜的热分解温度和耐电晕老化时间先增大后减小,当Al2O3纳米颗粒的质量分数达到25%时,热分解温度最高,比纯PI薄膜提高20℃以上;耐电晕老化时间最长,达到纯PI薄膜的11倍.
姚磊殷景华金荣陈明华赵星
关键词:聚酰亚胺纳米氧化铝热失重耐电晕
共1页<1>
聚类工具0