邱盛
- 作品数：29 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 柔性电子弯曲加载装置
- 本申请提供一种柔性电子弯曲加载装置，包括：承载柔性电子器件且能旋转所述柔性电子器件的测试机构；与所述测试机构配套的可变曲率弯曲加载机构，所述可变曲率弯曲加载机构调节不同曲率半径的圆棒，将对应曲率半径的弯曲加载到所述测试机...
- 陈仙张培健廖希异王妍蒋飞宇邱盛张正元
- 文献传递
- 基于Matlab的基极电流理想因子提取方法研究
- 2020年
- 采用Matlab数字分析方法,结合多晶硅发射极双极器件基极电流的构成情况,阐述了不同理想因子电流成分分离的基本原理和数学方法。利用该方法分析了多晶硅发射极双极器件在正向大电流激励下的电参数退化过程中不同理想因子基极电流的变化情况,分析了导致各电流分量变化的物理机制。该理想因子提取方法普遍适用于各类双极型器件。
- 冯筱佳邱盛张静崔伟张培健
- 关键词：多晶硅发射极MATLAB基极电流
- 一种深槽半导体器件耐压终端及其制造方法
- 本发明提供一种深槽半导体器件耐压终端及其制造方法，所述方法包括在带有第一导电杂质的半导体层，采用通用半导体工艺技术，在半导体层内部分区域形成被保护的有源区；通过刻蚀工艺在半导体材料片内形成一个或多个深槽；垂直半导体材料片...
- 谭开洲张霞唐昭焕吴雪王斌肖添朱坤峰杨永晖王健安张振宇邱盛张静崔伟黄东
- 文献传递
- 毫米波天线集成技术研究进展
- 2019年
- 作为5G大规模多输入/多输出(MIMO)的技术支持,毫米波天线集成技术是实现高分辨数据流、移动分布式计算等应用场景的关键技术。讨论了封装天线(AiP)、片上天线(AoC)、混合集成等毫米波天线集成技术发展状况、关键技术及其解决方案,剖析了几种典型集成天线技术,分析了技术发展脉络,总结了5G毫米波集成天线一体化技术的发展趋势。
- 王文捷邱盛王健安赖凡
- 关键词：相控阵毫米波天线片上天线
- 高压半导体介质耐压终端
- 本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料...
- 谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
- 文献传递
- DPSA双极器件中的1/f噪声特性研究
- 2021年
- 在现代高性能模拟集成电路设计中,噪声水平是影响电路性能的关键因素之一。研究了双多晶自对准高速互补双极NPN器件中发射极结构对器件直流和低频噪声性能的影响。实验结果表明,多晶硅发射极与单晶硅界面超薄氧化层以及发射极几何结构是影响多晶硅发射极双极器件噪声性能的主要因素。
- 邱盛夏世琴邓丽张培健
- 关键词：双极器件
- 基于比较器亚稳态抑制技术的8位320 MS/s SAR ADC被引量：2
- 2019年
- 提出一种比较器亚稳态抑制技术,并将其应用于一个8位320 MS/s的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。该技术抑制了比较器在高速工作情况下可能出现的亚稳态现象,从而降低了比较器出现错误结果的概率。同时,提出一种转换时间复用技术,使ADC能在转换与采样模式之间快速切换。与传统技术相比,随着工艺角、电源电压和温度(PVT)的变化,ADC的采样时间会被最大化。基于65 nm CMOS工艺,设计了一种8位320 MS/s SAR ADC。芯片测试结果表明,在1 V电源电压下,功耗为1 mW,信号噪声失真比(SNDR)>43 dB,无杂散动态范围(SFDR)>53.3 dB。SAR ADC核的芯片面积为0.021 mm^2,在Nyquist采样率下,优值为29 fJ/step。
- 王文捷邱盛徐代果
- 关键词：逐次逼近型模数转换器
- 介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法
- 本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制M...
- 谭开洲肖添张嘉浩李孝权王鹏飞裴颖李光波杨永晖蒋和全张培健邱盛陈良崔伟
- 双极晶体管发射极电阻的提取方法及应用研究
- 2019年
- 以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏离理想电流是发射极串联电阻效应引起的。该提取方法综合考虑了辐照过程中NPN管的电流增益退化特性,分析了总剂量辐照效应对NPN管的损伤机理和模式。该提取方法适用于多晶硅发射极器件,也适用于SiGe HBT器件。
- 邱盛王文捷王健安张培健
- 关键词：多晶硅发射极总剂量辐照
- 高压半导体介质耐压终端
- 本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料...
- 谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
- 文献传递
