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杨柳青

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：南京邮电大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电阻率
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇反射率
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇V

机构

  • 1篇南京邮电大学

作者

  • 1篇李兴鳌
  • 1篇杨建波
  • 1篇王志姣
  • 1篇杨柳青

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
磁控溅射法制备V掺杂Cu_3N薄膜研究被引量：1
2015年
利用磁控溅射法成功制备了V掺杂Cu3N薄膜。XRD显示随着V掺入浓度的升高,薄膜的择优生长取向由(111)面向(100)面转变。SEM结果表明向Cu3N薄膜中掺入V,薄膜的晶体颗粒形态发生了变化。从对薄膜样品进行的光反射率、电阻率和显微硬度测试结果可以看出,薄膜中掺入适当浓度V对其光吸收、导电性和力学性能有一定程度的改善。
黄赛佳侯雨轩侍宇雨王志姣杨柳青杨建波李兴鳌
关键词：V磁控溅射反射率电阻率
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共1页<1>
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