李志鹏
- 作品数：8 被引量：12H指数：2
- 供职机构：伊犁师范学院物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：新疆维吾尔自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程理学更多>>
- 1-氰基金刚烷在丙酮-乙醇混合溶剂中溶解度和过饱和度曲线的测量与分析
- 2017年
- 采用不同比例的丙酮-乙醇混合溶剂取代单一溶剂,测定了1-氰基金刚烷在其中的溶解度曲线和过饱和度曲线,确定了晶体生长的亚稳区范围.研究发现,随着丙酮浓度增大溶解度明显增大,当丙酮浓度为70%,饱和温度为35℃时,亚稳区宽度最宽,稳定性更好,更适合1-氰基金刚烷单晶生长.
- 马玉兰李志鹏鹿桂花周恒为
- 关键词：溶解度过饱和度
- 溶液法左氧氟沙星晶体生长的研究
- 2017年
- 首先对左氧氟沙星在纯乙醇、丙酮,以及乙醇-丙酮混合溶剂中的溶解度和过饱和度进行了测量与分析,研究结果表明:左氧氟沙星在所选择溶剂中的溶解度均随温度升高而增大,且在乙醇-丙酮混合溶剂中的溶解度均比在纯乙醇和丙酮溶剂中的大;左氧氟沙星在体积比为2∶8的乙醇-丙酮溶剂中所形成的溶液的亚稳区最宽.另外,采用恒温蒸发法在体积比为2∶8的乙醇-丙酮溶剂中生长出了淡黄色棒状的左氧氟沙星晶体.
- 李志鹏马玉兰鹿桂花周恒为
- 关键词：左氧氟沙星溶解度
- MgO-CeO_2-Y_2O_3为助烧剂SiC陶瓷的无压烧结及物相与表面形貌研究被引量：1
- 2016年
- 以Mg O-Ce O_2-Y_2O_3为助烧剂,采用无压液相烧结法,在1 900℃下制备Si C陶瓷.利用XRD、SEM和精密体积密度分析测试仪对陶瓷样品表面氧化产物相组成、微观形貌及体密度进行了检测分析.结果表明:各陶瓷样品的主晶相均为6H-Si C;助烧剂为wt.%(5%Mg O-3%Ce O_2-2%Y_2O_3)所制备的碳化硅陶瓷所形成的颗粒较为光滑,颗粒尺寸较为均匀,其孔隙相对较小;随着助烧剂氧化铈含量的增多,样品质量损失减少,体密度增大.
- 朱丹丹朱强鲁媛媛石秀丽李志鹏马玉兰周恒为鹿桂花尹红梅
- 关键词：助烧剂无压烧结表面形貌
- 不同保温时间对SiC复合陶瓷结构与形貌的影响被引量：2
- 2018年
- 本文采用无压液相烧结工艺,以Al_2O_3-MgO-Y_2O_3体系为烧结助剂,烧结温度为1 900℃,保温时间分别为1 h,1.5 h和2 h,制备SiC复合陶瓷,利用XRD和SEM方法研究了SiC陶瓷的物相组成和显微组织形貌。结果表明:保温2 h时,SiC陶瓷主晶相为6H-SiC,且是单相SiC;陶瓷体表面光滑,致密性良好,密度为2.959 g/cm^3,所以2 h为最佳保温时间。
- 鹿桂花周恒为李志鹏朱强
- 关键词：碳化硅陶瓷保温时间物相组成
- NdOCl-MgO-Al_2O_3烧结助剂配比对SiC陶瓷结构与形貌的影响被引量：2
- 2017年
- 采用无压液相烧结方法,制备烧结助剂总质量分数为11%,NdOCl-MgO-Al_2O_3配比不同的SiC陶瓷.利用XRD、SEM对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行分析,结果表明:SiC+(Al_2O_3-MgO-NdOCl)系列陶瓷样品中主晶相均为6H-SiC,其中烧结助剂配比为2∶5∶4的SiC陶瓷样品,晶粒簇拥黏结较为明显,颗粒分布较为均匀,孔隙较少.
- 萨娜玛迪娜.马合木提朱强马玉兰李志鹏张政薛明明董肖
- 关键词：碳化硅陶瓷无压烧结烧结助剂表面形貌
- 五氯硝基苯在两种溶剂中溶解度与过饱和度曲线的测量与分析被引量：1
- 2017年
- 分别测定了五氯硝基苯在丙酮和乙酸乙酯两种不同溶剂中,温度区间为298~308 K的溶解度和过饱和度曲线,拟合出了溶解度随温度变化情况,确定了生长亚稳区范围,结果表明:1)在测量温区范围内,五氯硝基苯在乙酸乙酯和丙酮中的溶解度都是随着温度的升高而增大,都呈正的溶解度温度系数,其在乙酸乙酯溶剂中的溶解度为21.76%~30.04%,在丙酮溶剂中的溶解度为20.97%~26.32%.2)五氯硝基苯在丙酮溶液中的溶解度比在乙酸乙酯溶液中的小,但有更宽的亚稳区,其溶液的稳定性更好,因此,采用降温溶液法,五氯硝基苯晶体在丙酮中更容易生长.3)生长五氯硝基苯单晶时,若用丙酮作为生长溶剂,单晶生长温度确定为299 K左右较为合适;乙酸乙酯作为生长溶剂,单晶生长温度确定为301 K较为合适.
- 王海辉周新圆鲁媛媛马玉兰李志鹏萨娜周恒为
- 关键词：五氯硝基苯丙酮乙酸乙酯溶解度过饱和度
- 溶液蒸发法左旋葡聚糖单晶生长的研究被引量：2
- 2018年
- 根据平衡法测量左旋葡聚糖(LG)在四氢呋喃溶剂中的溶解度,以溶液蒸发法在四氢呋喃溶剂中首次生长出LG单晶,并对其生长质量进行了表征。结果表明:(1)在303 K以下温区,左旋葡聚糖在四氢呋喃溶剂中具有较小的温度系数,适用于溶液蒸发法生长单晶;(2)生长出尺寸为0. 85 cm×0. 35 cm×0. 4 cm单晶,晶体结构为正交晶系;(3)通过金相显微镜、拉曼光谱和X射线衍射分析表明,LG单晶质量较好。
- 李志鹏丁瑞周恒为鹿桂花黄以能
- 关键词：单晶生长
- Al_2O_3-MgO-Y_2O_3为烧结助剂对SiC陶瓷表面形貌的影响被引量：4
- 2015年
- 利用Al2O3-MgO-Y2O3为烧结助剂,在1900℃下无压烧结制备SiC陶瓷.用XRD和SEM分析SiC陶瓷表面氧化产物相组成和微观形貌.结果表明:烧结助剂为wt(2%Al2O3+4%MgO+4%Y2O3)所制备的SiC陶瓷所形成的颗粒较为光滑,且孔隙相对较小.
- 张晓旭石秀丽朱强玛迪娜李志鹏董肖薛明明
- 关键词：碳化硅陶瓷烧结助剂无压烧结
