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权五云

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学信息科学与工程学院ASIC与系统国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇量子
  • 1篇量子效应
  • 1篇金属-氧化物...
  • 1篇晶体管
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体场效应...
  • 1篇MOS器件
  • 1篇表面势
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 1篇复旦大学

作者

  • 1篇贺道奎
  • 1篇权五云

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
考虑量子效应的MOS器件表面势模型
2007年
介绍了目前基于表面势的MOSFET集约模型研究的最新进展,及考虑量子效应时对表面势进行修正的一般方法。并从三角势阱近似出发考虑量子效应,得到了一个新的表面势解析模型,并与经典理论和数值模拟结果进行了比较。模型简单、准确,且物理意义清晰,适合于植入到基于表面势的集约模型中。
贺道奎权五云
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管表面势量子效应
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共1页<1>
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