吕秋月
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：吉林毓文中学更多>>
- 发文基金：吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 铁电薄膜平均极化性质的研究
- 2014年
- 应用Ginzburg-Landau-Devonshire(G-L-D)理论,研究由两种铁电材料组成的铁电双层膜系统的极化性质.通过引入的两个参量:参量α(描述铁电双层膜系统中两种铁电体的物理性能差异)和参量γ(描述铁电双层膜系统两种铁电体相变温度的差异),研究了不同的表面过渡层和双层膜系统厚度的条件下,铁电双层膜系统平均极化随这两个参量的变化情况.研究表明:参量α增大时,铁电双层膜系统的平均极化随之增大.当α取固定值时,平均极化随双层膜厚度L、表面自由能随位置变化的速度λ增大而增大;随着表面过渡层厚度Ls的增大而减小.参量γ增大时,铁电双层膜系统的平均极化减小.当参量γ取固定值时,平均极化随着表面过渡层厚度Ls的增大而减小;随着参量α、双层膜厚度L、表面自由能随位置变化的速度λ的增大而增大.
- 魏白光徐特吕秋月栗庆
- 关键词：铁电薄膜自发极化
- Ce_(1-x)Ho_xO_(2-δ)(x=0.05～0.3)固体电解质的性能研究
- 2012年
- 利用溶胶-凝胶法合成固体电解质Ce1-xHoxO2-δ(x=0.05～0.30),采用X-射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)对样品的结构进行表征,利用交流阻抗谱测试掺杂稀土Ho对其电性能的影响.XRD结果表明:800℃焙烧的所有样品均为单相立方萤石结构,Raman光谱表明:Ce0.85Ho0.15O2-δ具有氧缺位的萤石结构,AFM照片显示Ce0.85Ho0.15O2-δ致密度较好,阻抗谱结果表明:掺入Ho3+提高了Ce1-xHoxO2-δ的电导率,Ce0.85Ho0.15O2-δ的电导率最高,活化能最小,600℃时的电导率为0.016 S·cm-1,活化能为0.92 eV,比未掺杂的CeO2的电导率提高了4个数量级.
- 吕秋月林晓敏魏白光
- 关键词：溶胶-凝胶法固体电解质拉曼谱
- 高能球磨法制备纳米ZnO掺Fe稀磁半导体材料
- 2014年
- 稀磁半导体合金制备的基本思想主要是利用磁性离子部分地取代原来半导体中的阳离子.本论文利用高能球磨方法制备铁掺杂氧化锌,是通过高能球磨方法,球磨ZnO粉末,利用钢球及钢罐在球磨时撞击下的铁屑进行掺杂.XRD结果表明,随球磨时间的增加,10 h以前只有ZnO峰位,样品中铁峰在球磨10h出现,46 h为最强,球磨136 h消失,46～136 h过程ZnO峰位向左偏移,在球磨达到172 h,样品中出现新相Fe0.85-xZnxO.振动样品磁强计测量样品具有室温铁磁性,磁性能随Fe含量的变化而改变.
- 魏白光刘力吕秋月
- 关键词：ZNO稀磁半导体高能球磨室温铁磁性
- 铁电薄膜平均极化性质的研究
- 2014年
- 是在热力学唯象理论的框架下,研究由两种铁电材料组成的铁电双层膜系统的极化性质.通过引入的两个参量:参量(描述铁电双层膜系统中两种铁电体的物理性能差异)和参量(描述铁电双层膜系统两种铁电体相变温度的差异),研究了不同温度和不同界面耦合系数条件下,铁电双层膜系统平均极化随这两个参量的变化情况.研究表明:参量增大时,铁电双层膜系统的平均极化随之增大.当取固定值时,平均极化随界面耦合系数增大而增大;随着温度t、参量的增大而减小.参量增大时,铁电双层膜系统的平均极化减小.当参量取固定值时,平均极化随着温度t的增大而减小;随着参量、界面耦合系数的增大而增大.
- 魏白光徐特吕秋月
- 关键词：铁电薄膜自发极化
