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于鑫翔

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：四川大学物理科学与技术学院应用物理学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇正电子
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级瞬态谱
  • 1篇瞬态
  • 1篇能级
  • 1篇半导体
  • 1篇DLTS
  • 1篇GA
  • 1篇AS

机构

  • 1篇四川大学

作者

  • 1篇喻菁
  • 1篇幸浩洋
  • 1篇龙娟娟
  • 1篇邓爱红
  • 1篇于鑫翔
  • 1篇张英杰
  • 1篇程祥

传媒

  • 1篇四川大学学报...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
正电子深能级瞬态谱在Ga As缺陷研究中的应用被引量：4
2008年
本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实验方法．该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ，Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征，它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息．本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究，运用该技术并结合深能级Arrhenius分析，得到EL2能级值为0．82±0．02eV．
张英杰邓爱红幸浩洋龙娟娟喻菁于鑫翔程祥
关键词：正电子半导体
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