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于鑫翔
作品数:
1
被引量:4
H指数:1
供职机构:
四川大学物理科学与技术学院应用物理学系
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
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程祥
四川大学物理科学与技术学院应用...
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四川大学物理科学与技术学院应用...
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2008
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正电子深能级瞬态谱在Ga As缺陷研究中的应用
被引量:4
2008年
本文介绍的正电子深能级瞬态谱(PDLTS)技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱(PAS)和一些深能级瞬态谱(DLTS)技术而成新的实验方法.该技术能用来研究Ⅲ~Ⅴ,Ⅱ~Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征,它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息.本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究,运用该技术并结合深能级Arrhenius分析,得到EL2能级值为0.82±0.02eV.
张英杰
邓爱红
幸浩洋
龙娟娟
喻菁
于鑫翔
程祥
关键词:
正电子
半导体
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