马跃东
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金重庆市自然科学基金中央高校基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- 光/电激发方式对AlGaInP及GaN基LED电学特性的影响被引量：1
- 2011年
- 采用光激励与电激励的方式对AlGaInP与InGaN/GaN基LED的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响LED理想因子的因素,确定理想因子的适宜注入强度范围。研究结果表明:结温与注入强度是影响LED理想因子的重要因素;对于特定类型的发光二极管,空间电荷区起主导作用时对应的注入强度范围内能够获得反映器件性能的LED理想因子。LED的理想因子与光激励或者电激励方式无关,因而光激励能够代替电激励对LED电学特性及理想因子进行非接触检测。
- 文静庄伟文玉梅李平赵学梅马跃东
- 关键词：发光二极管(LED)光激励电激励结温
- 公共格栅像素CdZnTe探测器的能谱特性
- 2015年
- 使用同一块CdZnTe晶体设计制作了像素大小不等的4×4公共格栅像素CdZnTe探测器。通过能谱测定实验及权重势和电场仿真,研究了公共格栅像素CdZnTe探测器中的小像素效应和引导效应。结果表明:由于小像素效应较弱,较大的像素不能有效消除"空穴拖尾",能谱特性较差;由于晶体内部以及像素和公共格栅间隙表层的电荷损失,较小的像素能谱特性也较差。在像素宽度为0.8 mm时,得到了对662keV的137Cs放射源的最佳能量分辨率3.80%和峰谷比5.65。适当增大公共格栅偏压可以引导电子向阳极像素运动,促进电荷的完全收集,改善探测器的能谱特性。过大的偏压则会造成像素和公共格栅间表面漏电流的增加,探测器的能谱特性也会恶化。在像素宽度为0.8mm时最佳偏压为-60V。
- 杨国强肖沙里马跃东张流强曹玉琳陈宇晓
- 关键词：CDZNTE半导体探测器能量分辨率
- 基于FPGA和AOM的μ律语音光通信系统被引量：1
- 2016年
- 为了探索中低速率编解码算法在语音光通信方面的应用,设计了一套基于FPGA(现场可编程门阵列)和AOM(声光调制器)的μ律算法语音光通信系统;系统优化了μ律语音编解码算法,并将其移植到FPGA中,采用大气信道,双光路,全双工工作方式;光源为637 nm激光器和大功率LED,对激光器采用AOM(声光调制器)进行外调制,对LED进行内调制;利用系统进行了近距离双工通信和室内80 m距离通信实验,传输速率80 kbps,MOS≥3.0,信道误码率分别低于0.000 1%和0.001 2%,持续通话时长分别为2.3 h和1.5 h;结果表明:通信系统可以实现中低速率语音光通信。
- 郭成肖沙里彭光辉刘峰马跃东
- 关键词：光通信语音编解码声光调制器
- 碲锌镉探测器载流子屏蔽效应非线性变化研究
- 2015年
- 搭建了基于像素阵列碲锌镉晶体的辐射成像探测系统，采用X射线源完成了不同管电压条件下的成像探测实验。实验结果表明，在保持较高辐照通量的条件下，管电压的增大会导致探测器出现范围逐渐扩大的无信号响应屏蔽区域，无响应区域边缘像素出现非线性信号变化。进一步通过建立探测器有限元模型，求解了第一类边界条件电势泊松方程，仿真模拟了不同特征光子能量及线性衰减系数条件下，碲锌镉晶体内部电势及电场分布。仿真结果表明，随着入射光子能量及线性衰减系数的变化，辐照中心的晶体内部出现相对高电势区域，造成电子载流子迁移路径出现扭曲而使得相应位置像素电极无法获得载流子感应电荷信号；而晶体内部相对高电势区域范围的非线性变化，是信号屏蔽区域边缘的像素单元信号随着入射光子能量的增加出现非线性变化的主要原因。
- 黎淼肖沙里杨国强马跃东
- 一种利用发光光谱估计LED正向电压的方法被引量：2
- 2012年
- 提出了一种通过发光光谱估计发光二极管(LED)正向电压的方法。推导了LED正向电压与结温的关系,探讨了利用发光光谱估计结温的方法,从而建立了发光光谱和正向电压的联系。本文方法不需要直接测量结温和理想因子等参数,只由发光光谱就可得到较为准确的LED正向电压值。实验结果表明,正向电压的光谱估计值和实际测量值能够较好的吻合。
- 马跃东文静文玉梅李平庄伟赵学梅
- 关键词：发光二极管(LED)正向电压
