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文献类型

  • 6篇国内会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇GAN薄膜
  • 2篇金属有机物
  • 2篇光谱
  • 2篇发光
  • 2篇P型
  • 2篇AI
  • 2篇MOCVD生...
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化镓
  • 1篇氮化镓薄膜
  • 1篇电子显微镜
  • 1篇淀积
  • 1篇时域光谱
  • 1篇太赫兹
  • 1篇太赫兹光谱
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇吸收光谱
  • 1篇显微镜

机构

  • 6篇江苏省光电信...

作者

  • 6篇谢自力
  • 6篇张荣
  • 6篇韩平
  • 6篇郑有炓
  • 6篇刘斌
  • 6篇陆海
  • 5篇修向前
  • 2篇陈鹏
  • 2篇赵红
  • 2篇梅琴
  • 1篇江若琏
  • 1篇方贺男
  • 1篇张曾

传媒

  • 3篇第十五届全国...
  • 1篇第六届中国国...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
AlGaN薄膜的MOCVD生长及P型掺杂研究
AIGaN薄膜是LED结构的重要组成部分.本文报告我们在AlGaN薄膜的MOCVD生长及p型掺杂研究的新结果.
刘斌张荣谢自力修向前陈鹏陆海韩平郑有炓
关键词:MOCVD生长P型掺杂半导体照明
阴极荧光联合分析系统在Ⅲ族氮化物研究中的应用
<正>本文利用高性能的阴极荧光联合分析系统研究了Ⅲ族氮化物的发光性质。阴极荧光联合分析系统由热场场发射扫描电镜(SEM,JEOL 公司的 JSM-7000F)和高性能阴极荧光谱仪 (Cathodoluminescence...
赵红张荣谢自力刘斌梅琴修向前陆海江若琏韩平郑有炓
文献传递
GaN薄膜的太赫兹光谱研究
太赫兹(Terahenz,THz)光谱技术是基于飞秒技术的远红外波段光谱测量新方法。太赫兹时域光谱技术在很多领域具有广阔的应用前景。本文采用太赫兹时域光谱(THz-TDs)技术测量了非故意掺杂的GaN薄膜在0.4~1.0...
方贺男张荣谢自力刘斌修向前陆海韩平郑有炓
关键词:氮化镓薄膜时域光谱太赫兹光谱金属有机物化学汽相淀积
文献传递
湿化学腐蚀法研究GaN薄膜中的位错
本文采用湿化学腐蚀方法结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN(0001)/Al2O3中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1:1的KOH-NaOH溶液加入10wt%的MgO,对样品进行腐蚀处理,得出优化的腐蚀条件...
赵红韩平梅琴刘斌陆海谢自力张荣郑有炓
关键词:GAN薄膜位错密度电子显微镜发光强度
文献传递
AIGaN薄膜的MOCVD生长及P型掺杂研究
AIGaN薄膜是LED结构的重要组成部分.本文报告我们在AlGaN薄膜的MOCVD生长及p型掺杂研究的新结果.
刘斌张荣谢自力修向前陈鹏陆海韩平郑有炓
文献传递网络资源链接
InN薄膜变温光致发光与光学吸收研究
利用变温吸收光谱、光致荧光谱,对采用MOCVD(金属有机物气相沉淀法)制备的InN薄膜的光学性质进行了研究。 吸收光谱和光致发光谱的结果表明高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0.69eV附近,与现阶段丰要报道值O...
张曾张荣谢自力刘斌修向前陆海韩平郑有炓
关键词:吸收光谱光致发光谱金属有机物光学性质
文献传递
共1页<1>
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