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郭炜

作品数：32 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇中文专利

领域

  • 16篇电子电信
  • 2篇文化科学

主题

  • 11篇电极
  • 8篇刻蚀
  • 8篇半导体
  • 6篇HEMT器件
  • 5篇图形化
  • 5篇禁带
  • 5篇激光
  • 4篇氮化物
  • 4篇势垒
  • 4篇势垒层
  • 4篇外延层
  • 4篇金属
  • 4篇功函数
  • 4篇光电
  • 4篇二维电子
  • 4篇二维电子气
  • 4篇反电极
  • 3篇导体
  • 3篇等离子体刻蚀
  • 3篇增强型

机构

  • 32篇中国科学院宁...

作者

  • 32篇叶继春
  • 32篇郭炜
  • 2篇盛江
  • 2篇黄添懋
  • 1篇黄峰
  • 1篇孟凡平
  • 1篇高平奇
  • 1篇韩灿

年份

  • 6篇2024
  • 7篇2023
  • 9篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 32 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
紫外辅助MOCVD生长超宽禁带半导体材料的方法及系统
本申请公开了一种紫外辅助MOCVD生长超宽禁带半导体材料的方法及系统。所述的方法包括：在以MOCVD工艺生长超宽禁带半导体材料时，以脉冲紫外光均匀照射衬底表面或者于衬底表面生长的超宽禁带半导体材料，所述紫外光的能量大于所...
郭炜叶继春
紫外LED高反电极、紫外LED及其制备方法
本发明提供紫外LED高反电极，包括依次层叠在p型半导体层表面的欧姆接触层、反射金属层、扩散阻挡层、倒装焊接层，其中欧姆接触层主要由金属氧化物形成，该金属氧化物禁带宽度大于3eV、功函数大于6eV且形成的薄膜方阻小于500...
郭炜叶继春李亮陈荔戴贻钧崔梅
HEMT器件及其自隔离方法、制作方法
本发明公开了一种HEMT器件及其自隔离方法、制作方法。所述自隔离方法包括：在表面具有图形化低温结晶层的衬底上外延生长具有横向极性结构的外延层，并通过调控外延生长条件，使形成的金属极性区的表面和氮极性区的表面之间存在设定高...
郭炜叶继春戴贻钧徐厚强
文献传递
一种半导体结构的制备方法以及半导体结构
本公开提供了一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，其中，所述半导体结构的制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成P型层；利用激光器对所述P型层的中心区域进行激光退火，以使所述P型层的中心区域的掺杂原子激活。
郭炜徐成龙叶继春
紫外发光二极管、紫外LED外延层结构及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管、紫外LED外延层结构及其制备方法。本发明提供了一种紫外LED外延层结构的制备方法，其包括以下步骤：提供c面具有斜切角的纳米图形化蓝宝石衬底，其中斜切角的角度为0.5...
郭炜叶继春徐厚强
文献传递
一种深紫外LED器件及其制备方法
本申请涉及半导体器件领域，公开了一种深紫外LED器件及其制备方法，包括在第一衬底上生长激光分解层，其包括交替层叠的Al<Sub>m</Sub>Ga<Sub>1‑m</Sub>N层和Al<Sub>n</Sub>Ga<Sub...
陈荔 陈聪郭炜叶继春
一种基于Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN异质结的HEMT器件
本发明提供一种基于Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN异质结的HEMT器件，它包括衬底（1），缓冲层（2），沟道层（3），以及势垒层（4），沟道层（3）顶端具有2DEG（5），还设有源极（6），...
戴贻钧郭炜陈荔叶继春
文献传递
一种III族氮化物半导体发光器件台面刻蚀方法
本发明公开了一种III族氮化物半导体发光器件台面刻蚀方法，包括以下步骤，首先在衬底上外延生长缓冲层，并刻蚀缓冲层得到图形化缓冲层衬底，在所述图形化缓冲层衬底上外延生长具有横向极性结构的发光器件外延层，所述横向极性结构包括...
徐厚强蒋洁安郭炜叶继春
文献传递
一种紫外LED和紫外探测器集成器件及其制作方法
本申请公开了一种紫外LED和紫外探测器集成器件及其制作方法，包括衬底；位于衬底上表面、包括多层层叠的膜层的集成外延体，集成外延体包括紫外LED的第一外延体和紫外探测器的第二外延体，集成外延体中各膜层的材料为基于同一族材料...
郭炜国琛雨张佳欣叶继春
GaN基双沟道HEMT器件
本发明公开了一种GaN基双沟道HEMT器件，其包括外延结构，该外延结构包括沿设定方向依次设置的第一、第二、第三半导体层，该第一、第二、第三半导体层的禁带宽度依次增大，该第一、第三半导体层中的任一者与第二半导体层的界面处均...
郭炜叶继春戴贻钧
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