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邹荣

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇电路研究
  • 1篇电学
  • 1篇电学性能
  • 1篇驱动电路
  • 1篇像素驱动电路
  • 1篇流片
  • 1篇OLED
  • 1篇BCD工艺

机构

  • 2篇上海大学

作者

  • 2篇储楚
  • 2篇邹荣
  • 1篇季渊
  • 1篇冉峰
  • 1篇梁小燕
  • 1篇闵嘉华
  • 1篇滕家琪
  • 1篇王勇
  • 1篇张涛

传媒

  • 1篇液晶与显示
  • 1篇上海大学学报...

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
针对OLED衰退补偿的电流PWM像素驱动电路研究被引量：4
2013年
有机发光二极管(OLED)微显示器在长时间显示高亮、高对比度的静态画面之后会产生像素衰退不同,发光亮度衰减存在较大差异,更新画面后存在残影现象。为此,提出了一种电流PWM像素驱动电路对OLED像素衰退做出一定的补偿。文章介绍了电流PWM像素驱动电路的结构及其工作原理,分析了电流PWM像素驱动电路对OLED像素衰退补偿原理。通过实验得出该电路结构中提高OLED衰退补偿效果的几个主要因素。在像素衰退差异在30 MΩ以下时,电流PWM驱动电路的像素衰退率只有传统驱动电路的50%。
冉峰储楚季渊王勇邹荣
关键词：OLED
基于0.35μm BCD工艺下50V HVPMOS的电学性能优化
2013年
为提高0.35μm 30-0-50 V BCD(bipolar-CMOS-DMOS)工艺下50 V HVPMOS的电学性能,在不改变工艺流程的基础上,仅通过微调器件结构尺寸来实现电学性能的优化.采用Silvaco公司的工艺与器件模拟软件,仿真分析了沟道长度、overlap尺寸、场氧化层长度及场极板长度对50 V HVPMOS器件电学性能的影响.根据仿真结果确定了优化后的结构尺寸,并结合流片测试结果验证了优化方案的可行性.测试结果表明,优化后50 V HVPMOS的开启电压降低到了-0.98 V,击穿电压提高到了-68 V,特征导通电阻降低了13.5%,饱和电流提高了13.1%,器件的安全工作范围增大,饱和区更加平滑,无明显kink效应.
邹荣闵嘉华储楚梁小燕张涛滕家琪
关键词：BCD工艺电学性能流片
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