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谭平
作品数:
1
被引量:5
H指数:1
供职机构:
重庆科技学院冶金与材料工程学院
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发文基金:
重庆市自然科学基金
重庆市教育委员会科学技术研究项目
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相关领域:
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合作作者
曾冬
重庆科技学院冶金与材料工程学院
郭倩
重庆科技学院冶金与材料工程学院
蔡苇
重庆科技学院冶金与材料工程学院
张朝阳
中国工程物理研究院化工材料研究...
符春林
重庆科技学院冶金与材料工程学院
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曾冬
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2013
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Ni掺杂ZnS的第一性原理计算
被引量:5
2013年
采用基于密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了ZnS体系Ni掺杂前后的能带结构、态密度和光吸收系数曲线。结果表明:纯ZnS的能带结构是直接带隙,态密度显示属离子性较强而共价键较弱的混合键半导体材料。掺Ni的ZnS禁带宽度随掺杂量增加逐渐减小,能带简并度增大,且向低能方向移动;在价带顶出现杂质能级,说明是p型掺杂。纯ZnS在3.9 eV以下无吸收,红外透过率较高。掺Ni后吸收边红移,且在低能端(绿光区)出现新的吸收峰。
曾冬
符春林
蔡苇
郭倩
谭平
张朝阳
关键词:
第一性原理
硫化锌
电子结构
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