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许建华

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：上海交通大学微电子学院更多>>
发文基金：上海市浦江人才计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇应力
  • 1篇通孔
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片互连
  • 1篇芯片技术
  • 1篇互连
  • 1篇CMOS

机构

  • 1篇上海交通大学

作者

  • 1篇汪辉
  • 1篇许建华

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Cu通孔诱导的应力对CMOS迁移率影响分析
2009年
利用Si片中填充Cu通孔技术实现芯片间互连是目前最有前景的三维芯片技术。利用有限元模型仿真研究了Cu通孔在Si中引起的诱导应力对CMOS晶体管迁移率的影响。分析了键合力、键合温度、通孔直径和Si片厚度等因素的影响。研究发现,Si中诱导应力的主因是键合温度,且诱导应力随Si片厚度降低而减小。同时,晶体管免受区正比于通孔的直径,且PMOS迁移率变化率对应力的敏感程度要大于NMOS,因而PMOS的免受区决定整个CMOS工艺的免受区。
许建华汪辉
关键词：通孔应力迁移率芯片互连
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共1页<1>
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