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Ar^+注入多孔硅与Ar^+注入硅多孔结构的光致发光研究: 2008年; 研究了中等能量(30 kev)Ar+注入多孔硅和中等能量(30 kev)Ar+先注入单晶硅后再进行电化学腐蚀成的多孔结构的光致发光特性。研究结果表明:中等能量(30 kev)Ar+注入多孔硅后,多孔硅原有的发光峰消失,主要是Ar+对多孔硅表面氧的剥离作用,使得与氧相关发光的结构消失,多孔硅不再发光;中等能量(30 kev)Ar+先注入单晶硅后再电化学腐蚀成的多孔结构中,通常多孔硅原有的580 nm附近发光峰强度随注入Ar+剂量的增加而增强,并有红移;同时在谱峰处于470 nm附近的微弱发光峰不因注入Ar+而明显变化。; 吕小毅杨勇兵贾振红薛涛; 关键词：离子注入多孔硅光致发光

一种多孔硅生物免疫传感器的研究被引量：6: 2008年; 对多孔硅样品进行热氧化和硅烷化处理,通过共价结合的方法将HYSA生物抗体固定到多孔硅的孔洞中;测量了加入BSA发生抗原抗体反应前后的荧光光谱和反射谱。实验结果表明加入生物分子后多孔硅发光峰消失,抗原抗体反应后发光强度增强,反射谱红移。该项研究为开发免标记的多孔硅光学生物免疫传感器奠定了基础。; 薛涛吕小毅贾振红侯世斌张富春; 关键词：多孔硅硅烷化反射谱

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薛涛