王小龙
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：天津师范大学物理与材料科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 氧分压对溅射氧化钒薄膜结构和透光性能的影响被引量：3
- 2014年
- 采用射频磁控溅射法,在K9抛光玻璃基底上沉积氧化钒(VOx)薄膜,研究在其他参数保持不变时氧分压参量对薄膜的结构、表面质量及透光性能的影响。利用表面轮廓仪、X射线衍射仪、原子力显微镜及分光光度计分别对样品的沉积速率、物相结构、表面形貌和紫外-近红外光透射率进行分析。结果表明,制备的VOx薄膜的晶相随氧分压不同发生改变,调整氧分压在可见-近红外光区域可获得弱吸收的光学膜,但氧分压过高只能获得低的薄膜沉积速率,氧分压对薄膜表面粗糙度及晶体生长模式也有不同程度的影响。本文对实验结果进行了分析和讨论。
- 唐晓红黄美东杜姗刘春伟高倩王小龙张建鹏杨明敏
- 关键词：氧化钒射频磁控溅射氧分压
- 脉冲偏压占空比对复合离子镀(Cr,Al)N薄膜结构和力学性能的影响被引量：2
- 2015年
- 采用将电弧离子镀与磁控溅射离子镀相结合而得的复合离子镀的方法,分别用高纯Cr作为电弧靶、用高纯Al作为溅射靶,通入氮气和氩气,在高速钢和硅片上沉积(Cr,Al)N薄膜。通过台阶仪、扫描电镜、X射线衍射仪、维氏硬度计等分析和测量手段,研究了不同脉冲偏压占空比条件下(Cr,Al)N薄膜结构和力学性能的变化规律。研究表明,占空比对薄膜的结构和力学性能均有影响,当占空比为40%时,薄膜的沉积速率最大,为12.8 nm/min,用25 g载荷保荷10 s测试的维氏硬度1725 Hv也为实验获得的最大值。
- 高倩黄美东王小龙薛利
- 关键词：占空比
- 用铝丝掺杂溅射ZnO薄膜的光电性能研究
- 2015年
- 本文采用射频磁控反应溅射法于常温下在硅片和玻璃基片上制备ZnO和掺铝ZnO薄膜,将铝丝置于ZnO靶材上共同溅射来达到掺杂的效果,利用不同长度的铝丝以获得不同的掺杂量。通过X射线衍射法对薄膜进行结构分析,利用紫外-可见分光光度计获得薄膜的透过率光谱,霍尔效应仪测量薄膜的电学性能。发现所制备的样品在可见光区域透过率达到80%以上,达到了透明膜的要求;掺Al后的ZnO膜电阻率最低达到了4.25×10-4Ω·cm;结构表征发现样品的(002)晶面有明显衍射峰。基于包络线方法通过透射谱拟合计算了薄膜样品的折射率和厚度。
- 王小龙黄美东张建鹏高倩杨明敏
- 关键词：氧化锌薄膜射频磁控溅射光学性能载流子浓度
- CoO膜厚对磁控溅射Co/CoO薄膜结构和磁性能的影响被引量：1
- 2015年
- 为了探究FM/AFM双层膜中的交换偏置现象,利用磁控溅射法制备Co/Co O薄膜,通过改变沉积时间获得了不同Co O层厚度的Co/Co O双层膜系。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、交变梯度磁强计(AGM)、超导量子干涉仪(SQUID)分别对样品的物相结构、表面形貌及磁性能进行分析和表征。结果表明,AFM层厚度对表面形貌有一定的影响,但表面成分不随AFM层厚度的变化而变化。所有样品的XRD谱均出现Co O(002)衍射峰,说明薄膜为晶态。不同厚度的Co/Co O双层膜样品表现出不同的矫顽力和偏置场,低温下样品的磁滞回线表现出明显的交换偏置效应,并且磁偏移量随膜层厚度增加呈现逐渐增大的趋势。当Co O厚度为62.5nm时,偏置场最大可达到420k A/m。
- 高倩黄美东王小龙杨明敏
- 关键词：交换偏置磁性能
- 氧氩比对Ti掺杂ZnO薄膜结构和光电性能的影响
- 2015年
- 为优化Zn O∶Ti复合薄膜制备工艺,采用射频磁控溅射法在不同氧氩比条件下沉积Zn O∶Ti复合薄膜,得到的样品经由EDS能谱仪检测Ti掺杂质量分数为3%.分别利用台阶仪、扫描电子显微镜、X线衍射仪、分光光度计和霍尔效应仪对样品的沉积速率、微观结构和光电性能进行表征.结果表明:随着氧氩比逐渐增大,薄膜的沉积速率呈现先增加后减小的变化.所有Zn O∶Ti薄膜均为六角纤锌矿结构,具有(002)晶面择优取向;当氧氩比为1∶1时,薄膜样品的表面形貌和结构优于其他样品.经过在空气中500℃的退火处理,薄膜样品的结晶质量明显提高.所有Zn O∶Ti薄膜在可见光区透过率均大于90%.随着氧氩比的增加,薄膜样品的电阻率先减小后增加,当氧氩比为1∶1时,电阻率最小,为6.5×10-4Ω·cm,薄膜的综合性能达到最优.
- 高倩黄美东王小龙张建鹏王萌萌陈泽昊王宇
- 关键词：磁控溅射光电性能
