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王宗成

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇MMIC
  • 1篇单片
  • 1篇单片微波
  • 1篇单片微波集成...
  • 1篇电路
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇移相器
  • 1篇数控移相器
  • 1篇迁移率
  • 1篇赝配高电子迁...
  • 1篇微波集成
  • 1篇微波集成电路
  • 1篇晶体管
  • 1篇镜频
  • 1篇镜频抑制
  • 1篇集成电路
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇PHEMT
  • 1篇X波段

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇王宗成
  • 1篇付兴昌
  • 1篇乔明昌
  • 1篇赵宇

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
X波段4位数控移相器MMIC研究被引量:3
2010年
采用0.25μmGaAs FET芯片工艺成功制作了X波段4位数控移相器MMIC,对该数控移相器MMIC集成电路的设计、工艺制作过程做了阐述,并给出了实际测试参数。电路设计采用了高低通滤波器式移相器拓扑,串联FET与并联FET组合的电路方式。结果表明,在7.5~8.7 GHz频段内插入损耗≤7 dB,电压驻波比≤1.8∶1,开关时间≤30 ns,移相精度22.5°±2°,45°±3°,90°±3°,180°±3°,所有状态均方根移相误差≤5,控制电压-5 V或0 V。
乔明昌王宗成
关键词:X波段数控移相器插入损耗
基于RC-CR多相网络的镜频抑制接收机MMIC
2017年
基于RC-CR多相网络技术研制了一款S波段镜频抑制接收机单片微波集成电路(MMIC),在MMIC芯片上集成S波段低噪声放大器(LNA)、差分IQ混频器、本振(LO)驱动放大器、RC-CR多相网络滤波器等电路单元,实现了S波段单片镜频抑制接收机,解决了镜频接收机小型化的问题。电路、电磁场软件仿真以及采用Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺流片后的结果表明,在S波段实现了噪声系数小于1.8 dB,增益大于12 dB,中频(150±5)MHz带内镜频抑制大于35 dBc的技术指标。MMIC的芯片尺寸为4.8 mm×2.5 mm×0.07 mm。此镜频抑制接收机MMIC具有指标优异、体积小、集成度高的特点,可广泛用于各种需小型化的相控阵雷达和通信系统中。
王宗成黄红云赵宇付兴昌
关键词:镜频抑制
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