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张俊峰

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：云南大学更多>>
发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：冶金工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇冶金工程

主题

  • 1篇电学
  • 1篇电阻率
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇少子寿命
  • 1篇坩埚
  • 1篇改性
  • 1篇表面改性

机构

  • 1篇昆明理工大学
  • 1篇云南大学

作者

  • 1篇马文会
  • 1篇陈秀华
  • 1篇魏奎先
  • 1篇张聪
  • 1篇张俊峰

传媒

  • 1篇轻金属

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
坩埚表面改性对冶金法多晶硅电学性能的影响被引量：1
2013年
冶金法制备太阳能级多晶硅所用石墨坩埚含有不同类型的金属杂质,这些杂质通常会降低硅锭的电阻率和少子寿命等电学性能。本文研究了坩埚表面改性对冶金法多晶硅电阻率和少子寿命的影响。通过在不同冷凝速率条件下,对工业硅原料在改性前后的坩埚内提纯。经对铸锭切片的电阻率测试得出:坩埚表面改性使冶金法多晶硅锭的电阻率得到了明显的提高,电阻率的最高值由原来冷凝速率为20μm/s时的110mΩ.cm提高到30μm/s时227mΩ.cm;经对铸锭切片的少子寿命测试得出:冶金法多晶硅的少子寿命在冷凝速率20μm/s时最高,坩埚表面改性使少子寿命由原来的0.81μs提高到1.91μs。
张聪魏奎先马文会陈秀华张俊峰
关键词：表面改性多晶硅少子寿命电阻率
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共1页<1>
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