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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇软错误
  • 1篇噪声
  • 1篇闪存
  • 1篇可靠性
  • 1篇可靠性评估
  • 1篇Α粒子
  • 1篇NAND闪存
  • 1篇NM

机构

  • 3篇中芯国际集成...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 3篇丁育林
  • 1篇郭桂良
  • 1篇简维廷
  • 1篇刘云海
  • 1篇张启华
  • 1篇王娜
  • 1篇何俊明

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2011
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
非挥发性记忆体Read Disturb测试方法的研究
2010年
DDF是一种高容量的NAND Flash。以DDF产品为例,研究和讨论了它的Read Disturb测试方法。受测试时间的限制,只能选择局部的存储区间进行DDF的Read Disturb测试。这样局部区间的测试结果是否能够代表整个芯片的性能,设计了一套实验,对这个课题进行了研究和讨论。依据非挥发性记忆体产品的特性,主要以阈值电压的分布为参考来评价DDF芯片性能的一致性和性能恶化趋势的一致度。最后的实验结果证明了这种测试方法的正确性和合理性。这种分析方法也可以用于其他非挥发性记忆体产品的其他可靠性测试项目的评估。
张启华简维廷丁育林
38 nm NAND闪存可靠性评估关键问题研究被引量:3
2020年
通过提取阈值电压变化,研究了温度、连续读操作和α粒子辐射三种应力因子对38 nm SLC NAND闪存产品的可靠性影响。结果表明,温度和α粒子引起阈值电压的退化呈幂数规律,连续读操作则仅造成随机波动;低温(75℃)时,数据保持时间偏离激活能曲线的原因可能源于隧穿氧化层中的氟离子;单个存储单元晶体管级别的读噪声相比芯片整体更大。α粒子辐射可以诱发低水平的软错误几率。该研究结果为产品可靠性计划的制定和改善提供了重要依据。
郑勋何文文郭桂良郭桂良丁育林邵玲玲
关键词:NAND闪存软错误
α粒子加速软失效率测试的稳定性研究被引量:1
2011年
半导体器件软错误的发生具有几率低、间隔时间长的特点。资源有限条件的下实现对器件软失效率的评估需要借助放射源加速的方法,即加速软失效率测试。作为改进设计和工艺以降低软失效率的前提,就测试方法稳定性进行了系统研究。通过对两种不同制程的静态随机存储器芯片(SRAM)进行α粒子加速软失效率测试,提出了确保α粒子加速测试稳定的方法。基于相同测试条件下多次测量结果变化和测试时间的关系,给出了合理的加速软失效测试的时间推荐值,保证了测试结果的有效性。
王娜何俊明刘云海丁育林丁佳妮
关键词:Α粒子软错误
共1页<1>
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