王硕 作品数:4 被引量:0 H指数:0 供职机构: 中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室 更多>> 发文基金: 国家教育部博士点基金 国际科技合作与交流专项项目 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
场板结构对AlGaN/GaN HFET电场分布的影响 2014年 场板结构可以有效抑制横向型HFET器件栅极边缘的电场集边效应,降低尖峰电场峰值,从而大幅提高器件的耐压特性。利用Sentaurus TCAD工具,构建具有场板结构的HFET器件,研究了场板长度和钝化层的厚度对器件沟道电场分布的影响,归纳出场板结构设计的基本规律和一般方法。 王硕 张炜 姚尧 张金城 刘扬关键词:氮化镓 场板结构 击穿电压 表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析 2014年 利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。 杨帆 林哲雄 张炜 张金城 王硕 贺致远 倪毅强 刘扬关键词:半导体物理学 低温AlN插入层对Si基AlGaN/GaN异质结构材料特性的影响研究 GaN材料体系以其禁带宽度大、耐高压、耐高温等优越性能非常适合制作微波放大及功率开关器件,AlGaN/GaN异质结构是其中的代表.在生长GaN外延层的几种可能衬底材料(蓝宝石、SiC、Si和GaN)中,Si衬底有明显的低... 杨帆 贺致远 倪毅强 姚尧 王硕 张金城 吴志盛 张佰君 刘扬采用选择区域外延技术制备的常关型Si衬底GaN MOSFET的特性研究 在功率开关应用领域,为了保障失效安全,常关型器件的实现是非常有必要的.本文采用选择区域外延(SAG)技术,即:在金属有机化学气相外延(MOCVD)外延生长形成的半绝缘(SI)GaN/Si基底上,选择性地在接入区生长AlG... 姚尧 吴志盛 张佰君 刘扬 贺致远 杨帆 沈震 张金城 王硕 周桂林 钟健 郑越