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时彬彬

作品数：5 被引量：4H指数：2
供职机构：上海大学更多>>
发文基金：上海市教育委员会创新基金国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 4篇晶体
  • 4篇CDZNTE
  • 3篇CDZNTE...
  • 2篇PICTS
  • 1篇电极
  • 1篇动法
  • 1篇移动法
  • 1篇溶剂
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级缺陷
  • 1篇势垒
  • 1篇势垒高度
  • 1篇探测器
  • 1篇退火
  • 1篇能级
  • 1篇晶体内
  • 1篇红外透过率
  • 1篇复合电极
  • 1篇P型
  • 1篇TE

机构

  • 5篇上海大学

作者

  • 5篇梁小燕
  • 5篇闵嘉华
  • 5篇时彬彬
  • 4篇杨升
  • 3篇张继军
  • 3篇王林军
  • 3篇滕家琪
  • 3篇张涛
  • 2篇孟华
  • 2篇段磊
  • 1篇周捷

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇上海大学学报...

年份

  • 2篇2015
  • 3篇2014
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷
2014年
详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间。利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是V2-Cd和A中心(In+Cd-V2-Cd)-。
滕家琪闵嘉华梁小燕周捷张涛时彬彬杨升曾李骄开
关键词：PICTSCDZNTE深能级
原位退火对CdZnTe晶体性能的影响被引量：2
2014年
采用改进的垂直布里奇曼生长法生长Cd Zn Te(CZT)单晶,并在晶体生长后期采取长时间的原位恒温退火.采用红外透射显微镜、I-V特性曲线以及多道能谱仪测试经过原位退火后的晶体内部Te夹杂相分布、电阻率大小以及能谱响应.结果表明,原位退火可以大幅降低CZT晶体内部大尺寸Te夹杂相的密度,晶体内绝大部分的Te夹杂都集中在5μm以内.此外,原位退火后的晶体电阻率从4.54×108Ω·cm上升至3.73×1010Ω·cm.原位退火后的CZT晶体对241Am@59.5 ke Vγ射线表现出了良好的能量分辨率,为7.29%.
张涛闵嘉华梁小燕滕家琪时彬彬王林军
关键词：退火CDZNTE布里奇曼法探测器
溶剂熔区移动法制备Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体及性能研究被引量：2
2015年
用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h。测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、I^V特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能。结果表明,溶剂熔区移动法制备的晶体Te夹杂的密度和体积百分比比VB法晶片低,但是Te夹杂的尺寸要比VB法晶体大;溶剂熔区移动法晶体的红外透过率比VB法晶体高;溶剂熔区移动法晶体电阻率比VB法晶体高了一个数量级;PICTS测试发现,溶剂熔区移动法晶体内主要的缺陷密度低于VB法晶体。
时彬彬闵嘉华梁小燕张继军王林军邢晓兵段磊孟华杨升
关键词：红外透过率PICTS
p型CdZnTe晶体(111)B面的Au/Zn复合电极的制备和研究
2015年
通过对p型CdZnTe(111)面的结构分析,用真空蒸发法在p型CdZnTe晶体(111)面制备出Au/Zn复合电极,运用金相显微镜、AFM测试、SEM剖面观察、EDS成分分析、I-V特性测试及势垒高度计算等多种手段研究了Au/Zn复合电极对金属和半导体接触性能的影响。结果表明,在P型CdZnTe(111)A面蒸镀Au电极,在B面蒸镀Au/Zn复合电极时获得的势垒高度最低,有效减小了富Te面对金半接触的影响。Au/Zn复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能。
杨升闵嘉华梁小燕张继军邢晓兵段磊时彬彬孟华
关键词：CDZNTE势垒高度
降温速率对CdZnTe晶体内Te夹杂相的影响
2014年
采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe（CZT）单晶。生长完成后,选取了10-60 K/h不同速率降温处理。采用红外透射显微镜和多道能谱仪分别测试不同降温速率的晶片内部Te夹杂相分布和能谱响应。结果表明,10-30K/h之间的慢速降温会导致晶体内部出现较大尺寸的Te夹杂（〉10μm）,40 K/h以上的快速降温所得到的晶体内部主要以小尺寸（〈10μm）为主。同时快速降温会导致晶体内部的Te夹杂浓度大量增加,并且降温速率越快,Te夹杂浓度越大。此外,降温速率过慢所得到晶片的能谱分辨率较差,但是降温速率过快也会影响到晶片的性能。40 K/h的降温速率所得到的晶片能谱性能较好,实验结果表明：大尺寸或者高浓度的Te夹杂都不利于能谱响应,保留一定浓度的小尺寸Te夹杂的晶体能谱性能较佳。
张涛闵嘉华梁小燕滕家琪时彬彬杨升张继军王林军
关键词：CDZNTE
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