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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇增透
  • 1篇增透膜
  • 1篇无铝
  • 1篇激光
  • 1篇功率
  • 1篇高反膜
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体激光
  • 1篇高功率

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇刘云
  • 1篇单肖楠
  • 1篇王立军
  • 1篇王祥鹏
  • 1篇曲宙
  • 1篇套格套
  • 1篇王超
  • 1篇苏华
  • 1篇姚迪

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2006
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
46.2W连续输出808nm高功率无铝半导体激光线阵模块被引量:3
2006年
利用InGaAs/InGaAsP应变量子阱外延材料制作出高功率半导体激光器线阵模块,前腔面镀制了单层Al2O3,后腔面镀制了Al2O3/5(HfO2/SiO2)/HfO2,采用无氧铜热沉和高效率的液体冷却器散热。在室温下,驱动电流50A时输出功率高达46.2W,最高电光转换效率41.3%,斜率效率1.15W/A。器件中心激射波长810nm,波长温度系数为0.28nm/℃,光谱半峰全宽(FWHM)3nm,寿命突破11732h。
曲宙刘云王祥鹏苏华套格套王超单肖楠姚迪王立军
关键词:高反膜增透膜
共1页<1>
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