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领域

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机构

  • 4篇中国航天科技...
  • 3篇上海交通大学
  • 2篇上海航天技术...
  • 1篇上海空间电源...

作者

  • 4篇周玲
  • 3篇杨树泉
  • 3篇冯仕猛
  • 3篇单以洪
  • 3篇鞠雪梅
  • 2篇徐华天
  • 2篇田嘉彤
  • 2篇雷刚
  • 1篇先敬谦
  • 1篇王坤霞

传媒

  • 1篇量子电子学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇1985年全...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇1985
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
单晶硅表面微结构调节技术的改进被引量:1
2012年
提出改变碱液腐蚀单晶硅表面特性的一个简单方法,即在碱液中加入活性剂改变碱液在硅表面的润湿性能从而改变其腐蚀特性。分别采用普通碱液、四甲基氢氧化铵(tetramethylammonium hydroxide,TMAH)溶液和加入阴离子有机氟表面活性剂的普通碱液腐蚀硅表面。结果发现:普通碱液和TMAH腐蚀液腐蚀的硅表面的金字塔大小差异大、有许多蜂窝状的小金字塔,反射率较高;用加入阴离子有机氟表面活性剂的普通碱液腐蚀的单晶硅表面,能形成比较规则的金字塔,金字塔尺寸为4~6μm、均匀性好、覆盖率高、表面反射率下降到12.65%。有机氟表面活性剂能提高硅在碱中腐蚀速率,有效调控单晶硅金字塔形貌、大小与分布,为精确调控单晶硅表面微结构提供了可能。
单以洪冯仕猛王坤霞田嘉彤徐华天周玲杨树泉鞠雪梅
关键词:单晶硅金字塔
多晶硅表面暗纹的形成以及消除技术研究被引量:3
2012年
通过改变氢氟酸和硝酸的比列,进行了多晶硅表面腐蚀实验,实验研究发现不同配比酸液能刻蚀形貌不同的陷阱坑,消除深沟槽,但陷阱坑开口大,反射率比较高;在优化氢氟酸和硝酸配比的基础上加入阴离子活性剂,然后腐蚀多晶硅表面。实验样品的SEM显示,多晶硅表面能形成比较均匀开口小的陷阱坑,其表面反射率也比较低,而且能有效消除长而深的腐蚀沟槽,这对多晶硅太阳电池的研究具有一定的意义。
徐华天冯仕猛单以洪田嘉彤周玲杨树泉雷刚鞠雪梅
关键词:多晶硅反射率
纳米量子点能级以及能隙计算和修正被引量:1
2014年
用一个简单模型分析了量子点产生能级的原因,推导出能级与量子点尺寸的表达式。根据量子点表面势垒为有限值的特点以及表面存在衰减波,提出量子点内电子波函数不完全满足驻波条件的观点,在量子点的能级表达式中引入一个修正系数.结合量子点表面衰减波的特征,给出量子点修正系数的计算方法。通过理论计算表明:量子点的能级以及能级之间的能量差(间隙)不但与量子点的尺寸有关,而且与其边界条件有关。特别是对于非光滑的表面,其表面势垒对量子点的能级与能隙影响非常大.
单以洪冯仕猛雷刚鞠雪梅周玲杨树泉
关键词:光电子学量子点半导体能级能隙
精密数控微波衰减器
微波衰减器广泛应用于测量系统及各种设备中。近年来,随着无线电计量系统数字化和自动化的进展,实现电控和自动化显得日趋重要。
周玲先敬谦
文献传递
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