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冯钊

作品数:1 被引量:2H指数:1
供职机构:北京师范大学核科学与技术学院射线束技术与材料改性实验室更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇电池
  • 1篇电子辐射
  • 1篇太阳电池
  • 1篇GAAS/G...
  • 1篇GAAS/G...

机构

  • 1篇北京师范大学

作者

  • 1篇刘运宏
  • 1篇王荣
  • 1篇鲁明
  • 1篇冯钊

传媒

  • 1篇中国科技论文

年份

  • 1篇2015
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
GaAs/Ge太阳电池电子辐射效应的移位损伤剂量分析被引量:2
2015年
引入移位损伤剂量,对国产空间用GaAs/Ge太阳电池电子的辐射效应进行研究分析。首先计算电子在电池中的非电离能损(non-ionizing energy loss,NIEL)值,再用其与电子辐射注量的相乘,得到相应的移位损伤剂量(displacement damage dose,Dd),并对不同能量电子辐射下GaAs/Ge太阳电池最大输出功率Pmax随Dd的衰降曲线进行修正。分析结果表明:用Dd代替辐射注量,可使不同能量电子辐射引起的GaAs/Ge太阳电池Pmax的衰降能用单一曲线来描述。由此,通过NIEL值的计算和相对少的电子实验数据,就可确定太阳电池Pmax的衰降曲线,能够方便地预测在轨任务太阳电池的工作寿命。
王荣刘运宏鲁明冯钊易天成
关键词:GAAS/GE太阳电池电子辐射
共1页<1>
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