何乐
- 作品数：6 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种测量光刻机工件台方镜不平度的新方法被引量：4
- 2007年
- 提出一种新的步进扫描投影光刻机工件台方镜不平度测量方法。以方镜平移补偿量与旋转补偿量为测量目标,使用两个双频激光干涉仪分别测量工件台在x和y方向的位置和旋转量;将方镜不平度的测量按照一定的偏移量分成若干个序列,每一个序列包括对方镜有效区域的若干次往返测量;根据所有序列的测量结果计算出方镜的旋转补偿量;为每一个序列建立临时边界条件,并据此计算出每一序列所测得的方镜粗略平移补偿量;采用三次样条插值与最小二乘法建立每一个序列间的关系,以平滑连接所有测量序列得到精确的方镜平移补偿量。结果表明,该方法用于测量方镜平移补偿量,测量重复精度优于2.957 nm,测量旋转补偿量,测量重复精度优于0.102μrad。
- 何乐王向朝马明英
- 关键词：不平度工件台光刻机
- 投影光刻机像质原位检测与控制技术及其重要应用
- 王向朝段立峰王帆唐锋步扬马明英何乐李中梁戴凤钊孙刚李思坤
- 该项目提出了一种新的光刻机像质参数热漂移原位检测技术(TDFM)。详细分析了该技术利用镜像测试标记检测投影物镜最佳焦面热漂移与放大倍率热漂移的基本原理。实验结果表明TDFM技术可同时实现最佳焦面热漂移(FFT)与放大倍率...
- 关键词：
- 关键词：投影光刻机
- 一种高性能硅片曝光场分布优化算法被引量：1
- 2006年
- 以提高光刻机应用性能为目的,提出了一种高性能硅片曝光场分布优化算法。由芯片尺寸计算得到最佳曝光场尺寸,使其最接近于光刻机提供的曝光场最大尺寸,提高了曝光系统的利用率;引入曝光场交错分布,减少了硅片边缘曝光场的交叠,提高了光刻产率;建立产率优先和良率优先两种优化方案,实现了产率和良率的共优。以实际芯片产品的参量为例,将本算法用于曝光过程,采用产率优先标准,曝光场数量减少了10%,而内场数量基本不变,提高了光刻的产率也确保了良率;采用良率优先标准,内场数量增长了10%,总的场数也有所减少,提高了光刻良率的可靠性也确保了产率。
- 何乐王向朝
- 关键词：激光技术光刻技术产率
- 一种步进扫描投影光刻机承片台不平度检测新技术被引量：1
- 2007年
- 提出一种步进扫描投影光刻机承片台不平度检测新技术。在晶圆与承片台存在不同偏移量时,利用线性差分传感器在线测量晶圆上不同点的局部高度;通过建立临时边界条件,以递推法消除晶圆面形影响,并逐行计算出承片台的相对不平度;通过逐行计算的结果递推相邻行之间的高度差,并将该高度差叠加到每一行,以消除临时边界条件的限制,得到处于同一高度上的承片台不平度;将计算的结果作为初始值,根据最小二乘原理,以邻近的四个测量点作为参考,逐步逼近得到承片台的真实不平度。计算机仿真结果验证了该检测方法的正确性,计算结果逐步收敛并逼近真实值.实验结果表明,该方法的计算结果较好地表示了承片台的真实不平度,重复精度优于0.3 nm;同时该方法也可用于晶圆表面面形的测量。
- 何乐王向朝王帆施伟杰马明英
- 关键词：承片台最小二乘光刻机
- 一种检测光刻机激光干涉仪测量系统非正交性的新方法被引量：2
- 2007年
- 提出一种精确检测光刻机激光干涉仪测量系统非正交性的新方法.将对准标记曝光到硅片表面并进行显影;利用光学对准系统测量曝光到硅片上的对准标记理论曝光位置与实际读取位置的偏差;由推导的位置偏差与非正交因子、坐标轴尺度比例、过程引入误差的线性模型,根据最小二乘原理计算出干涉仪测量系统的非正交性.实验结果表明,利用该方法使用同一硅片在不同旋转角下进行测量,干涉仪测量系统非正交因子的测量重复精度优于0.01μrad,坐标轴尺度比例的测量重复精度优于0.7×10-6.使用不同的硅片进行测量,非正交因子的测量再现性优于0.012μrad,坐标轴尺度比例的测量再现性优于0.6×10-6.
- 何乐王向朝马明英施伟杰王帆
- 关键词：激光干涉仪工件台光刻机
- 一种步进扫描投影光刻机工件台基底表面形貌检测新技术
- 工件台是高精度步进扫描投影光刻机的重要组成部分,主要由大理石基底、承片台以及相关的伺服与测量设备组成。光刻过程中,承片台装载着晶圆片在大理石基底表面高速运动,测量和伺服设备实时调节承片台的垂向位置,使晶圆片始终处于光刻机...
- 何乐王向朝
- 文献传递
