彭兰
- 作品数：2 被引量：12H指数：2
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市博士后科研资助计划资助更多>>
- 相关领域：核科学技术一般工业技术更多>>
- 垂直Bridgman法生长Cd_(1-x)Mn_xTe晶体的缺陷研究被引量：3
- 2011年
- 本文采用垂直布里奇曼（Bridgman）法生长了尺寸为30 mm×130 mm的Cd1-xMnxTe晶体,利用Nakagawa腐蚀液显示了晶体的位错、Te夹杂相和孪晶缺陷,并采用傅立叶变换红外光谱仪研究了晶体的红外透过率与晶体缺陷之间的关系。结果表明：生长态Cd1-xMnxTe晶体的位错密度为104~105cm-2,Te夹杂相密度为103~104cm-2,晶体中的孪晶主要为共格孪晶,孪晶面为{111}面,且平行于晶体生长方向。在入射光波数4000~500 cm-1范围,晶体的红外透过率为36.7%~55.3%,红外透过率越大,表明晶体的位错和Te夹杂相密度越低,晶体对该波长范围的红外光表现为晶格吸收和自由载流子吸收。
- 施凌云张继军王林军黄健唐可彭兰
- 关键词：位错孪晶红外透过率
- 碲锌镉晶片机械研磨和机械抛光工艺研究被引量：9
- 2011年
- 研究了碲锌镉(CZT)晶片表面的机械研磨和机械抛光工艺。采用不同粒度的Al2O3磨料对CZT晶体表面进行机械研磨和机械抛光,并研究了工艺参数变化对CZT晶体表面质量、粗糙度、研磨速度和抛光速度的影响。结果表明,机械研磨采用粒度2.5μm的Al2O3磨料,最佳的研磨压力和研磨盘转速分别为120g/cm2和75r/min,研磨速度为1μm/min;机械抛光采用粒度0.5μm的Al2O3抛光液,最佳的抛光液浓度为6.5%(质量分数),抛光速度为0.28μm/min。AFM测试得到机械研磨后晶片表面粗糙度Ra值为13.83nm,机械抛光4h后,Ra降低到4.22nm。
- 彭兰王林军闵嘉华张继军陈军梁小燕严晓林夏义本
- 关键词：碲锌镉机械研磨机械抛光粗糙度
