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纳米抗辐射集成电路技术研究进展: 纳米器件新材料、新结构和新工艺的采用,以及纳米集成电路的小尺寸、低电压、高密度和高速度的特点,导致纳米工艺抗辐射集成电路设计遇到了新的科学难题。本文首先介绍目前国内抗辐射集成电路的研究现状,然后讨论了纳米集成电路辐射效应...; 李海松吴龙胜卢红利王斌岳红菊高利军; 文献传递

空间辐射效应防护的标准单元库设计与实现: 2010年; 为提高空间环境下电子设备的可靠性,提升抗辐射加固SOI(Silicon on Insulator)集成电路的设计效率,通过构建完整的建库流程,自主设计开发了基于3.3V-0.35μm-PD(Partly)SOI CMOS(ComplementaryMetal-Semiconductor)工艺平台,并面向Synopsys电子设计自动化软件的抗辐射加固标准单元库。标准单元采用H型栅及源漏非对称注入结构,以提高抗辐射性能,最后对该单元库进行了电子设计自动化工具流程验证和测试验证。实验结果表明,检错纠错验证电路功能符合设计要求,抗总剂量水平大于300krad(Si)。; 唐威刘佑宝吴龙胜赵德益卢红利; 关键词：抗辐射加固绝缘体上硅

一种抗单粒子瞬态加固的压控延迟线设计被引量：2: 2021年; 延迟锁相环中的压控延迟线是对单粒子事件(single event,SE)最敏感的子电路之一,其主要包括偏置电路和压控延时单元.利用双指数电流拟合3-D TCAD混合仿真中的单粒子瞬态(single-event transient,SET)电流,分析了压控延迟线对SE的敏感性.根据响应程度和电路结构的不同,对偏置电路进行了冗余加固;同时,对压控延时单元中提出了SET响应检测电路.在输入信号频率为1 GHz,电源电压1.2 V,入射粒子LET值为80 MeV·cm^(2)/mg的条件下,Spice仿真表明:和未加固电路相比,偏置电压V_(bn)和V_(bp)在受到粒子轰击后,翻转幅度分别下降了75%和60%,消除了输出时钟信号中的丢失脉冲;设计出的检测电路能够将各种情况下有可能出现的SET响应指示出来,提高了输出时钟信号的可靠性.; 史柱王斌赵雁鹏杨博卢红利高利军刘文平; 关键词：延迟锁相环

一种自适应双标分量极值对比判决反馈均衡电路: 本发明一种自适应双标分量极值对比判决反馈均衡电路，包括两抽头滤波器、阈值自适应单元、比较电路、时延单元、双标幅值均衡判决电路、系数更新单元和缓冲器；两抽头滤波器的输入端用于接收输入信号VIN，两抽头滤波器的输出端分别连接...; 李海松杨博卢红利尹飞赵雁鹏高利军党秋实杨靓; 文献传递

一种自适应双标分量极值对比判决反馈均衡电路: 本发明一种自适应双标分量极值对比判决反馈均衡电路，包括两抽头滤波器、阈值自适应单元、比较电路、时延单元、双标幅值均衡判决电路、系数更新单元和缓冲器；两抽头滤波器的输入端用于接收输入信号VIN，两抽头滤波器的输出端分别连接...; 李海松杨博卢红利尹飞赵雁鹏高利军党秋实杨靓

一种先进CMOS工艺下抗单粒子瞬态加固的与非门: 2023年; 先进纳米集成电路工艺的发展使得微电子器件翻转的阈值电荷不断降低,导致数字电路中由单粒子效应引起的软错误率增加。为加强集成电路中标准单元的抗辐射特性,本文提出了一种抗单粒子瞬态(single-event transient,SET)加固的与非门结构。在三阱工艺下,通过将下拉网络中每一个NMOS管的衬底和源极各自短接,便有效地提高了与非门抗辐射性能,而且随着输入端数目的增加,本文提出的与非门加固效果更加明显。利用Sentaurus TCAD软件的混合仿真模式进行粒子入射仿真实验,对于与输出节点相连的NMOS管采用经过工艺校准的三维物理模型,其他MOS管采用工艺厂商提供的Spice模型。结果显示:在40 nm工艺下,当入射粒子线性能量传输(linear energy transfer,LET)值为10 MeV·cm^(2)/mg时,本文提出的2输入与非门能够在3种输入的情况下降低输出电压扰动幅度。其中在N_(2)管关闭的输入模式下,达到了对单粒子入射免疫的效果;对于3输入与非门,即使在“最坏”输入的情况下,也能使输出电压翻转幅度降低85.4%。因此,本文提出的与非门加固方法起到了显著的抗单粒子瞬态效果。; 史柱肖筱王斌杨博卢红利岳红菊刘文平; 关键词：组合逻辑与非门

14 nm FinFET器件单粒子瞬态特性研究被引量：2: 2021年; 为评估鳍式场效应晶体管(FinFET)的本征抗辐射能力,本文通过三维工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真研究了14 nm FinFET工艺的单粒子瞬态(SET)特性。研究结果表明,在不同的线性能量传输(LET)值及不同的入射位置下,FinFET器件具有不同的单粒子敏感性。SET脉冲宽度随LET值的增大而展宽。此外,SET特性与粒子轰击位置的关系呈现出复杂性。对于低LET值(LET≤1 MeV·cm^(2)/mg),SET特性与重离子的入射位置具有很强的依赖性;对于高LET值(LET>10 MeV·cm^(2)/mg),由于加强了衬底的电荷收集,SET特性与粒子轰击位置的依赖性减弱。; 王斌史柱岳红菊李海松卢红利杨博; 关键词：重离子

一种基于DICE和Miller-C结构的抗辐射采样器电路结构: 本发明公开了一种基于DICE和Miller‑C结构的抗辐射采样器电路结构，属于集成电路设计领域，本电路结构包括DICE模块和Miller‑C模块，DICE模块能够通过相邻节点之间的冗余数据恢复被单粒子轰击的存储节点的存储...; 高利军王斌杨博岳红菊李海松杨靓卢红利赵雁鹏李婷

PD-SOI NMOSFET负微分电导现象的模拟分析被引量：2: 2010年; 对无体接触的深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET器件的输出特性分别进行了等温、非等温和非等温能量输运3种模式的模拟,结果表明:SiO2埋层的低导热率使器件在静态工作条件下硅膜温度上升,电子迁移率降低,漏端电流减小;同时,电子温度上升使电子扩散率增加,在无体接触情况下体区电子密度升高,体电势降低,漏端电流减小.通过对模拟结果的分析认为电子迁移率降低和扩散率升高是造成PD-SOI NMOSFET负微分电导现象的主要原因.; 唐威卢红利刘佑宝吴龙胜; 关键词：自加热效应迁移率扩散率

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卢红利