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黄康

作品数:2 被引量:7H指数:1
供职机构:上海交通大学微纳米科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室更多>>
发文基金:国家重点实验室开放基金上海市科学技术委员会资助项目上海市科委纳米专项基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇亚波长
  • 1篇正交
  • 1篇正交试验
  • 1篇速率
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米压印
  • 1篇抗反射
  • 1篇刻蚀
  • 1篇宽波段
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇波长
  • 1篇波段

机构

  • 2篇上海交通大学

作者

  • 2篇王庆康
  • 2篇李海华
  • 2篇黄康

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
亚波长纳米结构宽波段抗反射特性被引量:7
2011年
研究了玻璃(折射率n=1.52)表面周期性台阶结构的宽波段抗反射特性。利用等效媒质理论,对单台阶和二台阶结构进行了参数设计,并用严格耦合波理论对设计的台阶结构进行了入射光波长、入射角的反射效率、反射级次特性分析计算。研究结果表明:当亚波长纳米结构的周期低于周期阈值时,随着入射波长的增加只有零级衍射;台阶层数的增加,可增加红外抗反射入射波长和入射角的范围。二台阶结构可以在可见光和整个红外波段的反射率都低于1%。在玻璃表面上制备的台阶结构和基底为一体,这种方法克服了抗反射膜层的许多不足,其附着力、抗蚀刻、渗透扩散等问题均不存在,适用于受温度和湿度等环境因素影响较大的可见光及红外抗反射器件的设计和制作工艺中。
李海华黄康王庆康
关键词:亚波长抗反射
纳米压印中残余胶刻蚀工艺研究
2010年
压印光刻在图形转移之后,需要去除残留在凹槽底部的胶。采用RIE工艺对紫外压印胶的刻蚀速率进行了研究。结果表明,随着气压或气体流量增大,刻蚀速率均会先增加,达到一定值后又开始下降;在刻蚀气体中加入SF_6后,会减少钻蚀,但刻蚀速率会有少许下降;而在刻蚀气体中加入少量SF_6且压强及流量较大时,各部分的刻蚀速率一致性较好。由此得到了一个优化后的刻蚀条件,反应气体:O_2+SF_6,气体流量分别为40 cm^3/min和5 cm^3/min,压强9.31 Pa,RF功率20 W,此时刻胶速率可稳定在0.8μm/min左右,且均匀性较好。
黄康李海华王庆康
关键词:纳米压印反应离子刻蚀正交试验
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