阚玲
- 作品数：6 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划国防基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种超βNPN晶体管的研制被引量：1
- 2005年
- 阐述了一种超βNPN型晶体管的研制及实现批量生产的过程.该晶体管在VCE＝5 V、IC＝500 mA大电流下工作时,电流增益可达到900～1800,且器件的BVCEO、BVCBO耐压比较高,其中,BVEBO达15 V以上,完全满足低频大电流超高增益晶体管的实用要求.
- 阚玲欧宏旗
- 关键词：NPN晶体管双极晶体管半导体工艺
- 双极电路欧姆接触问题的工艺分析与解决方案被引量：2
- 2007年
- 为解决一种双极集成电路在生产中欧姆接触电阻过大的问题,针对关键工艺进行了统计分析和专项实验,找到了问题的原因和解决方法,对提高大规模集成电路的工艺制造稳定性具有非常重要的意义。
- 阚玲张扬波许生健朱煜开
- 关键词：双极集成电路欧姆接触湿法腐蚀
- 一种可集成高密度氮氧化硅介质工艺
- 2017年
- 针对传统二氧化硅、氮化硅等介质材料在制作MOS电容时存在电容密度低、界面特性差的问题,通过对氮离子注入、氮硅氧化实验的分析,成功开发出一种采用注入氮并氧化制作氮氧化硅介质材料的工艺;并使用该工艺研制出与36V双极工艺兼容、介质的相对介电常数为5.51、击穿电压达81V、电容密度为0.394fF/μm^2的高密度MOS电容,较传统可集成二氧化硅/氮化硅复合介质电容的电容密度提高了35.86%。该工艺还可用于制作大功率MOSFET的栅介质,可提高器件的可靠性。
- 张杨波唐昭焕阚玲任芳
- 关键词：氮氧化硅相对介电常数介质MOS电容
- 多晶硅发射极晶体管电流增益工艺稳定性研究被引量：1
- 2020年
- 针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流Ib存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界面氧化层厚度一致性差、波动大是电流增益异常波动的主要原因。该研究结果为解决类似问题提供了有价值的参考。
- 阚玲刘建
- 关键词：多晶硅发射极晶体管电流增益
- 评价IC芯片质量与可靠性的关键技术研究被引量：2
- 2011年
- 对CPK、SPC和PPM三项评价IC芯片质量和可靠性的关键技术进行了研究。使用这三项技术,实际评价了芯片制造工艺中的氧化工艺。实践证明,这三项技术在工艺生产能力评估、工艺过程控制和失效分析等方面具有广阔的应用前景,特别是在工艺过程中对特殊工艺的评估。
- 唐昭焕周铭徐岚刘勇阚玲梁涛税国华
- 关键词：半导体工艺可靠性统计过程控制
- 具有埋层的大功率集成器件二维简化模型分析
- 2008年
- 对具有埋层结构的集成大功率器件提出了导通电阻自限制二维模型。在假定条件成立时,推导出器件二维模型导通电阻自限制公式,得出了具有埋层结构的集成大功率器件结构其比导通电阻是随着面积不断增大的结论。通过实验,证实了该结论预测趋势的正确性。该结论对类似集成化大功率器件结构设计具有一定的指导作用。
- 谭开洲胡伟江军刘勇阚玲杨谟华徐世六
- 关键词：导通电阻
