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臧跃

作品数:8 被引量:27H指数:3
供职机构:盐城生物工程高等职业技术学校更多>>
发文基金:江苏省高校科研成果产业化推进项目江苏省自然科学基金江苏省新型环保重点实验室开放课题基金更多>>
相关领域:机械工程金属学及工艺一般工业技术更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 5篇机械工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇衬底
  • 5篇蓝宝
  • 5篇蓝宝石
  • 4篇双面研磨
  • 4篇蓝宝石衬底
  • 3篇LED
  • 2篇粗糙度
  • 2篇亚表面
  • 1篇研磨
  • 1篇研磨技术
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅衬底
  • 1篇扭矩
  • 1篇抛光
  • 1篇抛光工艺
  • 1篇片式
  • 1篇阻尼
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇摩擦式
  • 1篇卷材

机构

  • 7篇盐城工学院
  • 6篇江苏大学
  • 6篇常州大学
  • 2篇盐城生物工程...

作者

  • 8篇臧跃
  • 7篇周海
  • 6篇徐晓明
  • 6篇卓志国
  • 2篇刘道标
  • 1篇高翔
  • 1篇蔡爱民
  • 1篇朱玉娥

传媒

  • 2篇现代制造工程
  • 2篇机械设计与制...
  • 1篇制造业自动化
  • 1篇中国机械工程
  • 1篇内江科技

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2017
  • 2篇2014
  • 4篇2013
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
蓝宝石衬底双面研磨亚表面损伤分布研究被引量:6
2014年
在前人对硬脆性材料亚表面损伤预测理论研究的基础上,建立了蓝宝石衬底双面研磨亚表面损伤层深度与表面划痕深度之间的理论模型(DNR)。通过对双面研磨后的衬底晶片进行KOH轻度化学腐蚀并结合VK-X100/X200形状测量激光显微系统,得到了晶片表面划痕随深度的分布情况,进而得出了晶片亚表面损伤层随深度的分布情况。研究表明:亚表面损伤层随深度变化的分布规律为随着深度的增大呈递减趋势,集中分布在距离外层碎裂及划痕破坏层下方0~12.9μm深度范围内,所占比例达96.7%左右。研究结果有利于优化双面研磨工艺参数来控制亚表面损伤层的深度。
刘道标徐晓明周海卓志国臧跃高翔
关键词:蓝宝石衬底双面研磨划痕化学腐蚀
蓝宝石衬底双面研磨亚表面损伤双片式角度抛光法检测被引量:6
2014年
针对传统角度抛光法检测的不足,提出将双片式角度抛光法用于蓝宝石衬底双面研磨亚表面损伤层深度的检测。双片式角度抛光法采用双晶片重合黏结的实验晶片组测量抛光斜面腐蚀裂纹,避免了传统角度抛光法因抛光斜面和原晶片平面分界边缘难以辨别而造成的测量误差;使用数显测长仪对实验晶片组抛光斜面加工轮廓进行测量,测量结果代入相应计算公式得出准确的斜面倾角,消除角度取值不准确带来的方法误差,提高了测量精度。经检测得到,单晶面抛光斜面平均裂纹宽度约为175μm、平均斜面倾角为4.91°,双面研磨单晶面亚表面损伤层深度约为15μm,双晶面亚表面损伤层深度约为30μm。双面研磨工艺参数:研磨液采用320#碳化硼磨粒煤油溶液,研磨初始压力为30g/cm2,研磨终止压力为110g/cm2,研磨盘转速为13r/min。
徐晓明刘道标周海卓志国臧跃
关键词:蓝宝石双面研磨
基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工被引量:2
2013年
本文研究了基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工方法。为了实现对碳化硅衬底的高效低损伤研磨加工,对碳化硅衬底的行星机构双面研磨轨迹进行了优化。通过选择适当的加工参数,使工件处于摆线中间的环带部分,将有助于对工件进行均匀研磨并提高材料去除率。实验表明:采用320号碳化硼磨料双面研磨碳化硅衬底90min后,可以获得Ra为0.579μm;材料去除率达到1.53μm/min。
臧跃周海徐晓明卓志国
关键词:碳化硅衬底均匀性材料去除率
蓝宝石衬底铜抛实验研究
2017年
双面研磨过后的蓝宝石衬底,由于在加工过程中采用粒径较大的研磨颗粒,从而使得加工后的蓝宝石衬底表面质量差。差的蓝宝石表面质量对后续的粗抛加工有很大的影响,其中最为主要的影响就是延长了粗抛的加工时间,增加了加工成本。为了降低这一影响,并提高终极蓝宝石衬底的表面平坦度,引入了铜抛加工工序。在铜抛加工中,提出并实现了一种"两步走"的加工工艺方法,这一加工工艺方法不仅提高了加工效率,还降低了表面粗糙度,并为后续的粗抛提供了一个满意的表面平坦度。
臧跃茆兰娟周海
关键词:蓝宝石衬底双面研磨工艺方法表面粗糙度
LED用蓝宝石衬底抛光技术进展被引量:13
2013年
蓝宝石单晶衬底具有优秀的物理化学性质,作为LED的主要衬底材料,其晶片表面质量要求非常高,而加工工艺在很大程度上决定了表面质量。对蓝宝石衬底加工的各种工艺原理作简要介绍,如化学机械抛光、磁流变抛光、浮法抛光等,指出这些加工方法的优缺点、发展进程等。目前蓝宝石衬底的抛光质量已经达到:表面粗糙度0.1nm,平面度0.5μm。随着生产工艺的不断进步,数字化、全自动、绿色无污染的抛光工艺是未来蓝宝石衬底加工的发展方向。
卓志国周海徐晓明臧跃
关键词:蓝宝石衬底抛光工艺化学机械抛光
LED用SiC衬底的超精密研磨技术现状与发展趋势
2013年
介简单地介绍了发光二极管的发展历程,概述了LED用SiC衬底的超精密研磨技术的最新现状及发展趋势,阐述了研磨技术的原理、应用和优势。同时结合实验室X61 930B2M-6型研磨机,分析了加工工艺参数对研磨表面质量的影响,介绍了当前SiC衬底加工达到的精度水平,即SiC衬底表面粗糙度小于50nm,平面度和翘曲度均小于5,并提出了研磨加工将会向高精度、高效率的方向发展。SiC作为外延的最佳衬底,必将成为研究热点,未来SiC会向大尺寸、更低缺陷水平方向发展。
臧跃周海徐晓明卓志国
关键词:SIC衬底研磨粗糙度
蓝宝石衬底基片工艺质量检测指标及方法的研究进展被引量:3
2013年
根据蓝宝石衬底基片国家标准和国际质量保证体系标准,结合目前蓝宝石衬底基片生产和科研的实际情况,阐述了目前蓝宝石衬底基片生长、掏棒切片、研磨抛光和清洗加工过程中的质量检测指标、检测方法,以及检测设备。指出了蓝宝石衬底基片检测技术的研究对衬底基片生产的重要性。总结了蓝宝石衬底基片检测技术的现状,半导体材料GaN衬底用蓝宝石单晶的纯度要达到99.999%以上,位错密度在102/cm2范围内,晶片切片厚度偏差不超过20μm,表面粗糙度要达到Ra0.3nm水平。指出了现有检测技术的不足和今后的发展趋势,对蓝宝石衬底检测技术的进一步发展具有引导性的作用。
徐晓明周海卓志国臧跃
关键词:蓝宝石衬底
一种摩擦式扭矩可调的阻尼转轴机构
本实用新型公开了一种摩擦式扭矩可调的阻尼转轴机构,其包括卷材安装机构、辊轴安装机构和阻尼扭矩调节机构,其中卷材安装机构和辊轴安装机构分别设置于辊轴轴环的两侧,阻尼扭矩调节机构设置于辊轴安装机构一侧辊轴的末端。本实用新型通...
臧跃蔡爱民严于尧袁连余朱玉娥
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