臧志刚
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：暨南大学理工学院光电工程系更多>>
- 发文基金：广东省战略性新兴产业核心技术攻关项目中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信更多>>
- 利用有源多模干涉器提高InGaN超辐射发光二极管的输出功率被引量：1
- 2014年
- 为了提高InGaN超辐射发光二极管(SLED)的输出功率,采用有源多模干涉器(Active-MMI)作为管芯结构制作了Active-MMI SLED。由于有源区注入电流抽运面积的增加,提高了器件的增益饱和水平。实验结果表明,Active-MMI SLED的最大输出功率达到了47mW,光谱较宽而又平坦(3dB带宽20nm)。此外,器件即使在最大输出功率下,仍然保持着稳定的单模输出。
- 臧志刚余健辉张军陈哲
- 关键词：光学器件超辐射发光二极管高功率
- 微纳光纤环与侧边抛磨光纤耦合的上下载滤波器被引量：2
- 2014年
- 提出并成功演示了一种微纳光纤环与侧边抛磨光纤直接耦合的上下载滤波器。实验结果表明这种滤波器件不仅能实现两种光纤系统的互连耦合,并且能实现两系统间的上下载滤波功能。下载输出端消光比最大可达7.5dB,上载输出端消光比最大可达4.8dB。此外,通过进一步实验及数值仿真研究了不同环直径对两种光纤系统耦合的影响。实验和数值模拟研究结果都表明在微纳光纤直径为6μm的情况下,当微纳光纤环直径为580μm时,微纳光纤环与侧边抛磨光纤的耦合达到最大,同时此耦合对环Q值与精细度的影响也达到最小。这种上下载滤波器不需额外设计微纳光纤与标准光纤耦合的光学器件,为微纳光纤系统与现有的光纤系统的互连提供了一种更简洁有效的解决方案。
- 金绍深陈哲卫青松何小莉余健辉臧志刚卢惠辉罗云瀚唐洁媛张军
- 关键词：光纤光学侧边抛磨光纤光学耦合
